基于不同襯底混合物理化學(xué)氣相沉積法制備MgB2超導(dǎo)薄膜與特性的研究.pdf

1、2001年發(fā)現(xiàn)了MgB2的超導(dǎo)電性，其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度超過39K，接近BCS超導(dǎo)體的極限。MgB2具有成本低廉、結(jié)構(gòu)簡單、晶界間不存在弱連接、較長的相干長度(ξ～5nm)、較高的轉(zhuǎn)變溫度、高的臨界電流密度和高的上臨界磁場等優(yōu)勢，這使得MgB2薄膜在超導(dǎo)磁體及超導(dǎo)電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景。
　　本論文介紹了MgB2的基本結(jié)構(gòu)、超導(dǎo)性質(zhì)、應(yīng)用及制備方法，并重點(diǎn)研究了用HPCVD法在SiC和MgO襯底上制備MgB2薄膜、超薄膜:通過對

2、用HPCVD法在SiC和MgO襯底上制備的MgB2薄膜的研究，介紹了影響薄膜沉積速率和沉積質(zhì)量的因素，并給出了相應(yīng)的改進(jìn)方法;用HPCVD法在SiC襯底上制備了MgB2超薄膜，并詳細(xì)研究了其制備過程和超薄膜的超導(dǎo)特性，得到SiC襯底上MgB2超薄膜的生長遵循Volmer-Weber島狀生長模式，生長方向為c軸外延。且隨著膜厚的增加，超薄膜的連接性和均勻性逐漸提高，臨界溫度隨之提高，剩余電阻率隨之降低。得到的20nm厚MgB2超薄膜各方面