晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池表面及薄膜層制備與光學(xué)性能研究.pdf_第1頁
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1、晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池是一種由非晶硅薄膜與晶體硅材料構(gòu)成的半導(dǎo)體器件,其中晶體硅部分一般為N型摻雜,它具有開路電壓高、轉(zhuǎn)換效率高、長(zhǎng)時(shí)間曝光溫度穩(wěn)定性等特點(diǎn),具有良好的應(yīng)用前景。本文報(bào)告我們就晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池表面及薄膜層的制備及光學(xué)性能開展的初步研究,以期為晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池國(guó)產(chǎn)化開發(fā)提供參考。
   本文分別運(yùn)用兩步制絨法、PECVD及磁控濺射技術(shù)完成了N單晶硅片表面制絨、氫化非晶硅及ITO薄膜的制備;并采用反射率儀、橢偏儀

2、、紫外-可見分光光度計(jì)、量子效率儀等測(cè)試分析了其光學(xué)性能,結(jié)果表明:
   1) N-Si在20wt% KOH、85℃雙面各刻蝕20μm時(shí)損傷層去除完全,硅片雙面各刻蝕12μm后在2wt%KOH,5vol%IPA,70℃下腐蝕30~35min,得到較規(guī)則的金字塔,表面反射率降至11%,制絨后仍有優(yōu)質(zhì)的a-Si∶H鈍化效果,太陽電池量子效率在可見光范圍內(nèi)達(dá)到95%以上。
   2)氫化非晶硅薄膜光學(xué)性能對(duì)厚度變化很敏感。a

3、-Si∶H薄膜隨沉積厚度增加,折射率增加、光學(xué)吸收系數(shù)在近紫外波段降低而在可見光范圍內(nèi)增加、禁帶寬度降低;p型a-Si∶H薄膜沉積厚度增加時(shí),折射率增加、光學(xué)吸收系數(shù)在短波段降低而在可見光范圍內(nèi)先增后減、光學(xué)禁帶寬度先減后增;n型a-Si∶H薄膜隨沉積厚度增加,折射率增加。單雙面太陽電池量子效率表明,雙面電池比單面電池具更優(yōu)性能。
   3)玻璃襯底上濺射的ITO薄膜在250℃、氧氣氬氣比為3/10000、60W、沉積30min

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