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1、為了應(yīng)對(duì)電子產(chǎn)品輕薄化以及多功能化的需求,先進(jìn)的封裝技術(shù),如TSV(Through Silicon Via,硅通孔)等,先后出現(xiàn)并被廣泛應(yīng)用。國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展線路(ITRS)認(rèn)為在2015年TSV的互聯(lián)μ-C4焊點(diǎn)的直徑將減小到1.6μm,而且多篇文獻(xiàn)認(rèn)為在直徑100μm內(nèi),微焊點(diǎn)只含有1~5個(gè)晶粒。因此,亟需研究?jī)H含有1~5個(gè)晶粒的微焊點(diǎn)的可靠性。為此,本文研究了在硅片上電鍍、回流成型的Sn微焊點(diǎn)的力學(xué)性能與可靠性,包括納米壓痕測(cè)試
2、和推球剪切。
1)采用電子背散射花樣(Electron Back-scattering Patterns,EBSD)分析了Sn焊點(diǎn)的晶面取向和晶粒數(shù)量。直徑40μm的Sn焊點(diǎn)含有一個(gè)大尺寸的主晶粒,該晶粒取向?yàn)椋?12)晶面,織構(gòu)取向差在10°以內(nèi)。直徑10μm的Sn焊點(diǎn)只含有一個(gè)晶粒,其晶面和晶向取向?yàn)?352)和[203]。
2)通過納米壓痕測(cè)試發(fā)現(xiàn),焊盤上的Sn焊點(diǎn)有固定方向,測(cè)量發(fā)現(xiàn)垂直于直徑為40μm的Sn
3、焊點(diǎn)表面的方向上約化彈性模量為75GPa,而平行于其表面方向的約化模量為6GPa左右,Sn納米硬度為0.23GPa。能量法分析其彈性模量得到的變化趨勢(shì)與實(shí)驗(yàn)吻合。直徑40μm的Sn焊點(diǎn)內(nèi)沿c軸的方向被判為沒有應(yīng)變硬化,而其它測(cè)試情況均存在應(yīng)變硬化。
3)推球剪切實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)直徑40μm、高度20μm的Sn焊球的抗剪切力小于2g。在較低的推球高度(7μm以下)時(shí),推球速率對(duì)推力大小的影響比在較高推球高度(10μm)時(shí)速率對(duì)推力的影響
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