InGaAs-InAlAs量子級聯(lián)激光器的熱特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于量子級聯(lián)激光器（QCL）具有高功率、低閾值、工作波段范圍廣等特點(diǎn)，所以其應(yīng)用價(jià)值也受到了廣泛重視，它不僅可作為激光成像雷達(dá)的光源，還可以應(yīng)用在化學(xué)傳感、光電對抗、大氣污染監(jiān)測、醫(yī)學(xué)無損傷治療和太赫茲主動成像技術(shù)等眾多領(lǐng)域之中。
　　QCL自身的級聯(lián)設(shè)計(jì)使得器件發(fā)熱量較大，制約了其大范圍商品化的進(jìn)程。本文首先從InGaAs/InAlAs QCL的基本結(jié)構(gòu)、器件參數(shù)以及相應(yīng)的理論知識出發(fā)，分析了器件的熱來源、熱傳遞方式及其計(jì)算方法

2、；其次，本文給出了制備InGaAs/InAlAs QCL的工藝流程，研究了其中的主要工藝，包括光刻、濕法刻蝕、歐姆接觸以及封裝工藝，并系統(tǒng)地分析了各項(xiàng)工藝中的操作要領(lǐng)及注意事項(xiàng)；再次，本文利用ANSYS12.0有限元分析軟件模擬了使用不同材料封裝的QCL的溫度場分布情況，得出結(jié)論：In焊料封裝的InGaAs/InAlAs QCL的散熱能力最強(qiáng)。
　　最終，本文采用模擬結(jié)果最佳的In焊料成功完成了InGaAs/InAlAs QCL的

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