氮化物半導(dǎo)體量子級(jí)聯(lián)激光器的設(shè)計(jì).pdf

1、量子級(jí)聯(lián)激光器的研究，具有重要的理論和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值，不論在通訊，醫(yī)學(xué)，還是光探測(cè)等方面，有著重要的應(yīng)用前景。本論文主要研究半導(dǎo)體子帶帶間量子級(jí)聯(lián)激光器的設(shè)計(jì)，比較基于不同的材料體系的量子級(jí)聯(lián)激光器的特性，取得如下成果： 1.對(duì)不同的半導(dǎo)體材料體系的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分類。建立半導(dǎo)體導(dǎo)帶子帶的計(jì)算方法。討論了壓電效應(yīng)和應(yīng)變對(duì)氮化物半導(dǎo)體GaN的導(dǎo)帶子帶帶階的影響。 2.研究計(jì)算半導(dǎo)體量子阱導(dǎo)帶子帶的計(jì)算方法——打靶法，和邊界

2、匹配條件。以及GaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的計(jì)算實(shí)例，討論如何計(jì)算量子阱的束縛態(tài)的能級(jí)和包絡(luò)函數(shù)。 3.建立子帶帶間量子級(jí)聯(lián)激光器基本原理和設(shè)計(jì)規(guī)則，提出基于GaAs和SiGe價(jià)帶帶間和GaN導(dǎo)帶帶間的半導(dǎo)體級(jí)聯(lián)激光器設(shè)計(jì)方案，通過調(diào)整量子阱阱寬和壘寬，實(shí)現(xiàn)激射波長(zhǎng)的量子剪裁。 4.著重研究了氮化物基的量子級(jí)聯(lián)激光器的設(shè)計(jì)，其優(yōu)越性表現(xiàn)在AlGaN/GaN量子阱中，超快的縱向光學(xué)聲子散射能夠迅速的消除激光低