四通道可變增益放大器模塊研制.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，多功能集成電路及多芯片模塊(MCM)技術(shù)正逐步在射頻通信中廣泛使用，采用這些技術(shù)實現(xiàn)的多功能、小型化專用集成電路(ASIC)正在逐漸替代傳統(tǒng)的單一功能射頻集成電路和模塊，多功能ASIC的出現(xiàn)使得射頻鏈路的設(shè)計大為簡潔，目前在GSM、TDSCDMA等基站射頻系統(tǒng)設(shè)計中正在逐漸被采用，它們或者將上下變頻功能和放大器集成在一起，或者將多個通道集成在一起，使得通信系統(tǒng)的射頻鏈路設(shè)計大大簡化，多功能的射頻ASIC正成為射頻器

2、件技術(shù)發(fā)展趨勢。
　　 本課題完成了砷化鎵四通道可變增益放大器模塊的研制工作，該產(chǎn)品包含砷化鎵放大器、數(shù)控衰減器、開關(guān)以及無源功分器和驅(qū)動器芯片，并采用MCM技術(shù)，將多種芯片高密度的封裝到單個LGA基板上，最終完成具有較復(fù)雜功能、多通道集成的ASIC。
　　 本文設(shè)計的砷化鎵電路芯片均采用砷化鎵贗配高電子遷移率場效應(yīng)管器件（以下簡稱PHEMT）制作，驅(qū)動器芯片采用硅互補型雙極晶體管器件(以下簡稱硅CMOS)制作，采用PH

3、EMT制作了一顆集成了放大器、數(shù)控衰減器、開關(guān)和功分器的多功能芯片，采用CMOS工藝制作了一顆串并轉(zhuǎn)換芯片，在本文中，詳細闡述了這些芯片所采用的工藝路徑、器件模型以及電路拓撲設(shè)計和版圖繪制。
　　 另外，多芯片MCM產(chǎn)品研究的另一個重要內(nèi)容是討論了幾種可以采用的制作MCM多芯片模塊產(chǎn)品的方法，分析了各種方法的優(yōu)缺點，然后，本文針對本課題研發(fā)產(chǎn)品所采用的MCM-L制成進行了重點研究。
　　 該產(chǎn)品在項目結(jié)束時完成一系列芯片