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文檔簡介
1、隨著量子阱材料的發(fā)展,量子阱器件廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。激子對描述半導(dǎo)體的光學(xué)以及電學(xué)特性具有重要意義,并且激子效應(yīng)對半導(dǎo)體中的光吸收、發(fā)光等物理過程具有重要影響,因此研究激子對半導(dǎo)體光電子器件的設(shè)計和制作具有非常重要意義。與半導(dǎo)體體材料相比,在量子阱結(jié)構(gòu)中,激子的束縛能要大得多,而且在較高溫度或在電場作用下更穩(wěn)定。從理論上研究量子阱材料的電子態(tài)對新型量子阱器件設(shè)計具有重要的理論價值和指導(dǎo)意義。
CdMnTe量子阱材料是一類新型半
2、導(dǎo)體材料,與其它半導(dǎo)體材料不同,它摻入了具有磁性的Mn2+,使得CdMnTe材料兼具半導(dǎo)體和磁性材料的性質(zhì)。這種特殊的性質(zhì)使其具有很多優(yōu)良的物理性能,因此在器件應(yīng)用上具有很多潛在的價值,從而對CdMnTe材料的深入研究具有重要意義。
本文在有效質(zhì)量包絡(luò)函數(shù)近似下采用變分法對 Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中激子結(jié)合能進(jìn)行了研究,主要內(nèi)容如下:
1.闡述了量子阱、量子阱材料和 Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱
3、材料的發(fā)展與應(yīng)用,并且對激子進(jìn)行了簡單的闡述。
2.簡單地介紹了量子阱結(jié)構(gòu)中電子態(tài)的主要理論計算方法,即有效質(zhì)量包絡(luò)函數(shù)、打靶法、變分法和激子結(jié)合能的計算方法,重點介紹計算激子結(jié)合能的方法。
3.在有效質(zhì)量近似下,利用變分法對 Cd1-xMnxTe/CdTe方量子阱中的激子結(jié)合能進(jìn)行詳細(xì)的計算和研究。以單量子阱、雙量子阱和多量子阱為理論模型,主要研究單量子阱、雙量子阱。計算了無電場時量子阱激子結(jié)合能、玻爾半徑和非相關(guān)
4、概率,并且計算了 Mn組分和外電場對結(jié)合能的影響。結(jié)果表明:激子結(jié)合能隨阱寬的變化呈現(xiàn)先增加后減小的趨勢,有極大值出現(xiàn),玻爾半徑隨阱寬的變化與結(jié)合能的變化相反,呈先減小后增加的趨勢,最后討論了電場對激子結(jié)合能的影響。
4.研究了對稱量子阱中激子結(jié)合能,以拋物型量子阱和三角型量子阱為理論模型,在有效質(zhì)量近似下,利用變分法對 Cd1-xMnxTe/CdTe拋物型和三角型量子阱中激子結(jié)合能進(jìn)行了計算和研究。結(jié)果表明:拋物型和三角型量
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