Cd1-xMnxTe-CdTe量子阱中激子結合能的研究.pdf

1、隨著量子阱材料的發(fā)展，量子阱器件廣泛應用于各種領域。激子對描述半導體的光學以及電學特性具有重要意義，并且激子效應對半導體中的光吸收、發(fā)光等物理過程具有重要影響，因此研究激子對半導體光電子器件的設計和制作具有非常重要意義。與半導體體材料相比，在量子阱結構中，激子的束縛能要大得多，而且在較高溫度或在電場作用下更穩(wěn)定。從理論上研究量子阱材料的電子態(tài)對新型量子阱器件設計具有重要的理論價值和指導意義。
　　CdMnTe量子阱材料是一類新型半

2、導體材料，與其它半導體材料不同，它摻入了具有磁性的Mn2+，使得CdMnTe材料兼具半導體和磁性材料的性質。這種特殊的性質使其具有很多優(yōu)良的物理性能，因此在器件應用上具有很多潛在的價值，從而對CdMnTe材料的深入研究具有重要意義。
　　本文在有效質量包絡函數近似下采用變分法對 Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中激子結合能進行了研究，主要內容如下：
　　1.闡述了量子阱、量子阱材料和 Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱

3、材料的發(fā)展與應用，并且對激子進行了簡單的闡述。
　　2.簡單地介紹了量子阱結構中電子態(tài)的主要理論計算方法，即有效質量包絡函數、打靶法、變分法和激子結合能的計算方法，重點介紹計算激子結合能的方法。
　　3.在有效質量近似下，利用變分法對 Cd1-xMnxTe/CdTe方量子阱中的激子結合能進行詳細的計算和研究。以單量子阱、雙量子阱和多量子阱為理論模型，主要研究單量子阱、雙量子阱。計算了無電場時量子阱激子結合能、玻爾半徑和非相關

4、概率，并且計算了 Mn組分和外電場對結合能的影響。結果表明：激子結合能隨阱寬的變化呈現先增加后減小的趨勢，有極大值出現，玻爾半徑隨阱寬的變化與結合能的變化相反，呈先減小后增加的趨勢，最后討論了電場對激子結合能的影響。
　　4.研究了對稱量子阱中激子結合能，以拋物型量子阱和三角型量子阱為理論模型，在有效質量近似下，利用變分法對 Cd1-xMnxTe/CdTe拋物型和三角型量子阱中激子結合能進行了計算和研究。結果表明：拋物型和三角型量