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文檔簡介
1、本文采用線性組合算符方法,在有效質(zhì)量近似下,深入廣泛地研究了拋物形半導體量子點中強、弱耦合激子的基態(tài)性質(zhì)。 第一章緒論,介紹了本文的研究背景和意義。 第二章研究了拋物形半導體量子點中弱耦合激子的基態(tài)性質(zhì)。討論了輕、重空穴激子的基態(tài)能量隨量子點半徑和量子點受限強度的變化關系,結(jié)果表明:在有效質(zhì)量近似下,輕、重空穴激子的基態(tài)能量隨量子點半徑的減少而增大,隨量子點受限強度的增大而增大。當量子點半徑一定時,重空穴激子的基態(tài)能量大
2、于輕空穴激子的能量,在量子點受限強度一定時,輕空穴激子的基態(tài)能量大于重空穴激子的能量,其能量間的差異隨受限強度的增大而增大。 第三章研究了拋物形半導體量子點中強耦合激子的基態(tài)性質(zhì)。討論了考慮電子-聲子相互作用和不考慮電子-聲子相互作用時激子的基態(tài)能量隨量子點半徑和量子點受限強度的變化關系。結(jié)果表明:無論是考慮電子-聲子相互作用還是不考慮電子-聲子相互作用激子的基態(tài)能量都隨量子點半徑的增大而減少,隨量子點受限強度的增大而增大。當量
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