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1、本文采用線性組合算符方法,在有效質(zhì)量近似下,深入廣泛地研究了拋物形半導(dǎo)體量子點(diǎn)中強(qiáng)、弱耦合激子的基態(tài)性質(zhì)。 第一章緒論,介紹了本文的研究背景和意義。 第二章研究了拋物形半導(dǎo)體量子點(diǎn)中弱耦合激子的基態(tài)性質(zhì)。討論了輕、重空穴激子的基態(tài)能量隨量子點(diǎn)半徑和量子點(diǎn)受限強(qiáng)度的變化關(guān)系,結(jié)果表明:在有效質(zhì)量近似下,輕、重空穴激子的基態(tài)能量隨量子點(diǎn)半徑的減少而增大,隨量子點(diǎn)受限強(qiáng)度的增大而增大。當(dāng)量子點(diǎn)半徑一定時(shí),重空穴激子的基態(tài)能量大
2、于輕空穴激子的能量,在量子點(diǎn)受限強(qiáng)度一定時(shí),輕空穴激子的基態(tài)能量大于重空穴激子的能量,其能量間的差異隨受限強(qiáng)度的增大而增大。 第三章研究了拋物形半導(dǎo)體量子點(diǎn)中強(qiáng)耦合激子的基態(tài)性質(zhì)。討論了考慮電子-聲子相互作用和不考慮電子-聲子相互作用時(shí)激子的基態(tài)能量隨量子點(diǎn)半徑和量子點(diǎn)受限強(qiáng)度的變化關(guān)系。結(jié)果表明:無(wú)論是考慮電子-聲子相互作用還是不考慮電子-聲子相互作用激子的基態(tài)能量都隨量子點(diǎn)半徑的增大而減少,隨量子點(diǎn)受限強(qiáng)度的增大而增大。當(dāng)量
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