2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩113頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、隨著信息時(shí)代的到來(lái),人們對(duì)于半導(dǎo)體材料的需求也越來(lái)越大。傳統(tǒng)的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料雖然具有較好的性能,但是它的生產(chǎn)成本很高,對(duì)環(huán)境的污染也很?chē)?yán)重,因此人們迫切的需要一種新的半導(dǎo)體材料來(lái)代替它。有機(jī)半導(dǎo)體材料作為一類(lèi)新型的半導(dǎo)體材料,不僅具有有機(jī)物自身質(zhì)輕、柔軟、易獲得、易改性等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)也具有半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性,因此受到了越來(lái)越多的關(guān)注。聚3-己基噻吩(P3HT)是因其自身優(yōu)異的光電特性而成為目前最受關(guān)注的有機(jī)半導(dǎo)體材料之一。
  

2、 本論文的工作主要圍繞P3HT取向薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)的研究展開(kāi)。主要內(nèi)容如下:
   1.P3HT薄膜晶體的形貌和結(jié)構(gòu)P3HT薄膜的電性能與其薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。為了獲得具有更好的形貌和結(jié)構(gòu)的薄膜,我們對(duì)P3HT薄膜的成膜條件及后處理過(guò)程進(jìn)行了研究。通過(guò)在乙腈氣氛下溶液澆鑄成膜的方法,我們得到了厚度均勻的P3HT薄膜。將薄膜在不同溫度的四氫呋喃氣氛下退火后,我們?cè)赑3HT薄膜表面獲得了大量的樹(shù)葉狀晶體和納米線狀晶體。通過(guò)對(duì)

3、晶體的形貌和結(jié)構(gòu)研究發(fā)現(xiàn),兩種晶體都存在晶體a軸的面外取向,并且樹(shù)葉狀晶體具有更大更平整的晶體表面。通過(guò)控制薄膜晶體的生長(zhǎng)條件,我們得到了不同數(shù)目和大小的樹(shù)葉狀晶體。
   2.P3HT摩擦取向薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)P3HT分子鏈在取向薄膜中有序排列可以提高分子問(wèn)π電子的重疊程度,從而大大提高載流子在分子間的傳遞能力。我們通過(guò)摩擦取向的方法成功地制備了高分子量的P3HT取向薄膜。通過(guò)對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)研究發(fā)現(xiàn)其分子鏈沿著摩擦方向取向,晶體的

4、a軸在薄膜面內(nèi)垂直與摩擦方向取向,而b軸則垂直于薄膜表面取向。通過(guò)對(duì)薄膜的形貌研究發(fā)現(xiàn),摩擦得到的薄膜上下表面的取向效果不同。為了提高薄膜的整體取向效果,我們嘗試了自成核結(jié)晶、直接退火、溶劑氣氛退火等方法對(duì)薄膜進(jìn)行后處理,發(fā)現(xiàn)利用四氫呋喃氣氛處理薄膜可以在不破壞薄膜內(nèi)部取向結(jié)構(gòu)的前提下提高薄膜表面的取向效果。
   3.P3HT/PE的附生結(jié)晶行為摩擦得到的P3HT薄膜雖然具有取向結(jié)構(gòu),但其晶體的b軸是面外取向,而b軸的方向是載

5、流子遷移的主要方向,因此我們希望讓b軸面內(nèi)取向。通過(guò)在熔體拉伸取向的PE薄膜上附生結(jié)晶的方法,我們得到了高度取向的P3HT薄膜。通過(guò)對(duì)兩種薄膜的形貌研究發(fā)現(xiàn),兩種片晶在薄膜內(nèi)都垂直于PE薄膜的拉伸方向取向排列,說(shuō)明PE基底對(duì)P3HT薄膜有很強(qiáng)的成核作用。對(duì)兩種薄膜的結(jié)構(gòu)進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),P3HT晶體的c軸平行于PE薄膜的拉伸方向,b軸在薄膜面內(nèi)垂直于拉伸方向,分子鏈在P3HT的(100)晶面和PE的(110)晶面的鏈間距相互匹配,兩者存在

6、明顯的附生關(guān)系。通過(guò)在取向的PE基底上旋轉(zhuǎn)涂覆P3HT薄膜的方法可以獲得大面積的P3HT取向薄膜。
   4.PE-39-propyl晶體結(jié)構(gòu)的缺陷聚合物晶體內(nèi)部往往存在一些缺陷,這些缺陷會(huì)破壞晶體內(nèi)分子鏈的有序排列。同時(shí),PE取向薄膜作為P3HT附生結(jié)晶的基底,它的晶體結(jié)構(gòu)缺陷對(duì)于P3HT晶體的生長(zhǎng)也有很大影響。因此,我們對(duì)PE晶體結(jié)構(gòu)的缺陷進(jìn)行了研究。通過(guò)對(duì)精確接枝聚乙烯(PE-39-propyl)晶體結(jié)構(gòu)的研究發(fā)現(xiàn),丙基側(cè)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論