2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文研究了在化學(xué)沉積制程中對(duì)于硼磷摻雜層的缺陷進(jìn)行控制優(yōu)化的問題。通過對(duì)硼磷摻雜層在生長(zhǎng)過程中出現(xiàn)各種缺陷的問題進(jìn)行了研究，找到了一些針對(duì)性的解決方法并對(duì)問題實(shí)現(xiàn)了有效控制。具體內(nèi)容如下：
　　1．硼磷摻雜層的應(yīng)用及其在制程中容易出現(xiàn)缺陷的問題
　　硼磷摻雜層作為第一層金屬前介電質(zhì)（PMD）以及金屬層間介電質(zhì)（IMD）在IC制造中有著廣泛的應(yīng)用。但是在化學(xué)沉積過程中容易出現(xiàn)各種缺陷問題，而缺陷會(huì)影響硼磷摻雜層的性質(zhì)從而造成晶

2、片良率大大降低甚至報(bào)廢。
　　2．硼磷摻雜層出現(xiàn)缺陷的原理及其影響
　　硼磷摻雜層出現(xiàn)缺陷的原因有很多，包括機(jī)臺(tái)硬件方面的原因和制程方面的原因。而缺陷的種類包括了厚度、微粒、均勻度以及硼磷含量等。本文將對(duì)這些不同的原因和不同的缺陷分別展開分析。
　　3．硼磷摻雜層缺陷的控制
　　基于可能出現(xiàn)的各種原因，我們采取了相應(yīng)的措施來(lái)達(dá)到抑制或盡量減少缺陷的目的。常見的有通過制程的改進(jìn)來(lái)調(diào)節(jié)硼磷含量，使之在一個(gè)最優(yōu)化的范圍

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