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文檔簡介
1、本文采用物理氣相沉積方法，并且結(jié)合半導(dǎo)體相關(guān)理論，對優(yōu)化半導(dǎo)體整體制程中的氮化鈦?zhàn)钃鯇拥纳L進(jìn)行了深入的研究。
本文介紹了半導(dǎo)體芯片制造的工藝流程，以及具體介紹物理氣相沉積工藝的特性和控制參數(shù)?；旧险麄€完整的VLSI元件，是由層數(shù)不等且材質(zhì)厚度均不同的薄膜，經(jīng)多次光刻及蝕刻的加工后，所組合而成的。而將這些薄膜覆蓋在晶片上所需要的技術(shù)，便是所謂的薄膜沉積及薄膜成長等技術(shù)。薄膜沉積技術(shù)的發(fā)展，從早期的蒸鍍開始至今，以發(fā)展成為
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