高功率單管半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、封裝技術(shù)是高功率半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),封裝質(zhì)量直接影響著器件的參數(shù)特性、可靠性及工作壽命。為了提高激光器的散熱性能、降低封裝應(yīng)力,進(jìn)而提高封裝質(zhì)量,以976nm單管半導(dǎo)體激光器為研究對(duì)象,主要對(duì)半導(dǎo)體激光器封裝的散熱和熱應(yīng)力問(wèn)題進(jìn)行了研究,主要工作如下:
  1)采用ANSYS有限元軟件對(duì)器件進(jìn)行了熱特性和應(yīng)力分析,得到AlN陶瓷片厚度和二次焊接時(shí)InSn焊片厚度對(duì)器件溫度和應(yīng)力分布的影響規(guī)律。
  2)為獲得高

2、質(zhì)量的金錫焊料,對(duì)分層電鍍 AuS n的方法進(jìn)行了研究,確定了鍍液組分和電鍍工藝條件,采用三層電鍍的方法制備出了厚度均勻,組分合適的金錫焊料。
  3)為提高器件的散熱性能,研究了芯片腔長(zhǎng)對(duì)器件結(jié)溫和可靠性的影響。腔長(zhǎng)為4mm時(shí)器件結(jié)溫最低,僅有56.3℃;在熱沉溫度30℃條件下,4 mm腔長(zhǎng)的激光器預(yù)計(jì)壽命可達(dá)2萬(wàn)小時(shí)以上,10W單管激光器應(yīng)選用4 mm作為芯片的腔長(zhǎng)。
  4)為了降低封裝應(yīng)力,提出了一種通過(guò)測(cè)量激光器脈

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