高功率單管半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、封裝技術(shù)是高功率半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),封裝質(zhì)量直接影響著器件的參數(shù)特性、可靠性及工作壽命。為了提高激光器的散熱性能、降低封裝應(yīng)力,進(jìn)而提高封裝質(zhì)量,以976nm單管半導(dǎo)體激光器為研究對象,主要對半導(dǎo)體激光器封裝的散熱和熱應(yīng)力問題進(jìn)行了研究,主要工作如下:
  1)采用ANSYS有限元軟件對器件進(jìn)行了熱特性和應(yīng)力分析,得到AlN陶瓷片厚度和二次焊接時InSn焊片厚度對器件溫度和應(yīng)力分布的影響規(guī)律。
  2)為獲得高

2、質(zhì)量的金錫焊料,對分層電鍍 AuS n的方法進(jìn)行了研究,確定了鍍液組分和電鍍工藝條件,采用三層電鍍的方法制備出了厚度均勻,組分合適的金錫焊料。
  3)為提高器件的散熱性能,研究了芯片腔長對器件結(jié)溫和可靠性的影響。腔長為4mm時器件結(jié)溫最低,僅有56.3℃;在熱沉溫度30℃條件下,4 mm腔長的激光器預(yù)計壽命可達(dá)2萬小時以上,10W單管激光器應(yīng)選用4 mm作為芯片的腔長。
  4)為了降低封裝應(yīng)力,提出了一種通過測量激光器脈

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