In2Ge2O7納米帶的生長及InGaZnO探測器的研制.pdf

1、過去的幾十年中，氧化物半導體材料因其在納米尺寸光電器件的潛在應用而被廣泛的研究，
　　如紫外探測器和濕度敏感器等。多元氧化物半導體材料相對于單純二元氧化物半導體材料而言，由于其可以通過不同的化學計量配比來得到可調的性能，因而得到了廣泛關注。一維納米材料尤其是一維鍺系多元氧化物半導體材料更是在光催化，濕敏，紫外探測器，高能激光系統(tǒng)材料等方面有著很高的應用前景。紫外探測技術是繼紅外和激光探測技術之后發(fā)展起來的又一軍民兩用光電探測技術，

2、紫外探測器由于受環(huán)境影響很小，探測精度高引起來人們的廣泛關注，IGZO四元薄膜材料，由于Ga+的摻入，降低了材料中帶氧缺陷，降低了器件的暗電流，增大了開關比，從而提高探測器性能。主要研究工作如下：
　　1.采用熱蒸發(fā)單質 In顆粒和Ge粉末的化學氣相沉積方法成功地合成了1D In2Ge2O7納米帶。樣品產量大，形貌均勻，表面光滑，厚度均為~50 nm。通過SEM，XRD，HRTEM，EDX以及 Mapping對樣品的形貌、晶體結構

3、、以及成分分布進行了表征，表明樣品是單晶 In2Ge2O7納米帶，且結晶質量非常好，同時提出了In2Ge2O7納米帶的生長機制。
　　2.我們利用脈沖激光沉積方法室溫下在藍寶石襯底上成功制備了非晶銦鎵鋅氧（a-IGZO）薄膜，并首次在IGZO薄膜上制作MSM結構的肖特基型紫外探測器，器件的響應峰值位于310nm，截止波長為352 nm，這與材料的吸收邊基本一致。在5V偏壓下,器件的暗電流小于0.6 nA,最大的響應度為26.17m