基于Si襯底Ge量子點(diǎn)光纖通信用光電探測(cè)器研制.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩72頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、整合光纖通信的低損耗寬頻帶大容量低成本的優(yōu)勢(shì)與Si基質(zhì)材料的成熟工藝技術(shù)和低廉制作成本優(yōu)勢(shì)，研制Si襯底Ge量子點(diǎn)光纖通信用光電探測(cè)器，將為超大規(guī)模光電集成通信及未來(lái)光子通信做好準(zhǔn)備，造福人類(lèi)。 本論文在超高真空化學(xué)氣相沉積(UHV/CVD)生長(zhǎng)設(shè)備上，采用自組裝S-K(Stranski-Krastanov)先層后島生長(zhǎng)方法，系統(tǒng)的研究了單層Ge量子點(diǎn)生長(zhǎng)條件，得到了單層Ge量子點(diǎn)生長(zhǎng)的最優(yōu)條件：溫度T=550℃；時(shí)間t=5mi

2、n； GeH4流量=1sccm。進(jìn)而優(yōu)化設(shè)計(jì)多層結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)條件，成功的在Si基上制備了PIN結(jié)構(gòu)多層Ge量子點(diǎn)探測(cè)器材料。采用傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體工藝，通過(guò)3次(版)光刻，摸索了光刻膠(AE5214E)的曝光顯影時(shí)間。分別進(jìn)行了ICP干法刻蝕臺(tái)面，濕法腐蝕SiO2引線空和Al接觸電極。采用PECVD淀積了SiO2，采用磁控濺射淀積了Al接觸電極。最后通過(guò)器件封裝完成了器件的制備。之后對(duì)研制的器件進(jìn)行了I-V特性、暗電流、光譜響應(yīng)特性及針對(duì)光纖

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論