STT-MRAM信息存儲機理仿真研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、自旋傳輸矩磁隨機存儲器是一種直接利用自旋極化電流驅動納米磁體磁矩反轉、完成信息寫入的新型存儲器。這種存儲器是一種潛在的、革命性的通用存儲技術,它集成了DRAM的高存儲密度、SRAM的快速讀寫能力、Flash的非易失性和低功耗以及高穩(wěn)定性等優(yōu)越性能,此外,它具有無限次使用的優(yōu)勢;與傳統(tǒng)MRAM相比,有著更好的擴展性、更低的寫信息電流,特別是,它與更先進的半導體工藝兼容。
　　本文在介紹了STT-MRAM內涵的基礎上,對存儲單元磁隧道

2、結MTJ自由層相關材料和結構以及自旋電子學相關理論進行了研究,分析了自由層有效場的組成、自旋輸送、極化電流對自由層磁矩自旋矩作用的產生等問題,基于宏自旋模型,建立了LLGS方程;用牛頓迭代法,對模型進行了數值求解,并開發(fā)了STT-MRAM信息存儲機理仿真系統(tǒng);研究了自由層磁矩進動反轉過程,論證了信息“0”或“1”的寫入可能性,并詳細地分析了自由層厚度、飽和磁化強度、磁晶各向異性常數、阻尼系數、退磁因子等材料或結構參數對信息寫入所需電流密

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