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文檔簡介
1、多層陶瓷電容器(MLCC)是電子信息技術的重要基礎器件。由于電子系統(tǒng)的發(fā)展要求,MLCC向寬溫、大容量和低成本方向發(fā)展。以BaTiO3為基鐵電陶瓷材料是MLCC的重要材料。本文從分析鈦酸鋇的晶體結構入手,以提高溫度穩(wěn)定性、提高介電常數、降低燒結溫度為目標,對溫度穩(wěn)定型中溫燒結瓷料進行研究。并運用XRD、SEM等現代微觀分析手段,對其內在機理進行研究。
1、分別討論了Nb2O5、MgO、CoCO3、CeO2以及Bi2O3等對鈦酸
2、鋇系統(tǒng)的介電性能的影響,并成功制備處所需的X8R陶瓷材料,性能參數如下:室溫介電常數ε25℃>2500,介電損耗tanδ<2.0%,-55℃到150℃范圍內最大電容量變化率不超過±15%。
2、Pb(Ti0.55Sn0.45)O3摻雜能有效提高BaTiO3基陶瓷居里點到150℃以上。從結構上看,Pb2+離子的引入進行A位取代,Sn2+離子的引入進行B位取代,引起成分起伏相變擴散,造成居里點向高溫移動。通過TEM、XRD分析可知
3、,Pb(Ti0.55Sn0.45)O3與BaTiO3可形成部分固溶體并形成核-殼結構。核-殼兩相相互制約及疊加作用使鈦酸鋇陶瓷呈現溫度穩(wěn)定性。當在BaTiO3基陶瓷中添加2wt%Pb(Ti0.55Sn0.45)O3時,樣品呈現很好的介電溫度特性:ε25℃>1750,介電損耗tanδ<2.0%,-55℃到150℃范圍內最大電容量變化率不超過±10%,滿足EIAX9R標準。
3、球磨中,磨球直徑小,球磨時間長,最終粉體粒度會變小而
4、比表面積變大,這能有效地抑制在燒結時BaTiO3晶粒生長并產生細晶效應。摻雜元素對BaTiO3顆粒進行均勻的包裹形成更多的殼-芯晶粒,即鐵電相BaTiO3晶核的比例減小,而順電相晶殼的體積比增大,使得BaTiO3基陶瓷居里峰壓平展寬,介電常數溫度變化率趨于平緩。燒結溫度對晶粒的生長、空洞的密度、雜質離子的擴散分布、晶相的組成等有著重要的作用,并對介質陶瓷最終的介電性能產生重要影響。
4、將鈦酸鉍鈉(Bi0.5Na0.5TiO3
5、,BNT)引入BaTiO3陶瓷中以取代上述配方中Pb(Ti0.55Sn0.45)O3的使用,BNT與BaTiO3合成BTBNT,BTBNT具有更高的居里溫度(170℃)。再通過Nb2O5調節(jié)BTBNT的介電溫度變化率,Nb5+能夠占據Ti4+的位置,并形成富Ti的非鐵電相區(qū)。而這些第二相的存在使得BTBNT陶瓷的居里峰發(fā)生擴散,使得介電溫度曲線更加平坦。在合適的配方時,可獲得無鉛化的X9R陶瓷:ε≈1660、tanδ=0.0194、ΔC
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