低溫?zé)Y(jié)熱穩(wěn)定BaTiO3基陶瓷介質(zhì)材料研究.pdf

1、本文主要研究以BaTiO3基陶瓷介質(zhì)材料為基礎(chǔ),通過(guò)摻雜改性、添加玻璃和不同的制備工藝實(shí)現(xiàn)高熱穩(wěn)定性、高介電性能、低溫?zé)Y(jié)的目標(biāo),制造出了滿(mǎn)足電子工業(yè)協(xié)會(huì)(ElectronicIndustriesAssociation,EIA)標(biāo)準(zhǔn)的X7R、X8R、X8R-BX、X9R以及具有超寬溫度范圍(-55℃到230℃)穩(wěn)定性的陶瓷介質(zhì)材料。并且運(yùn)用現(xiàn)代微觀分析手段XRD、SEM等,對(duì)其內(nèi)在機(jī)理進(jìn)行了分析。主要的研究?jī)?nèi)容及結(jié)果如下:
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2、.我們?cè)贐aTiO3基陶瓷材料中,添加5wt％ZnO-B2O3、改變制備工藝,成功的降低了燒結(jié)溫度,實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度850℃~930℃),性能參數(shù)如下:室溫介電常數(shù)ε25oC≥2500,介電損耗tanδ≤1.0%,-55℃到125℃范圍內(nèi)最大電容量變化率不超過(guò)±10%。另外,對(duì)BaTiO3基陶瓷材料進(jìn)行改性,添加CaTiO3等添加劑,進(jìn)行了鉭電容器替代產(chǎn)品的探索性研究,并且成功制備了具有正溫度特性的BaTiO3基陶瓷介質(zhì)材料。

3、r>　　2.我們分別討論了Ho2O3、Er2O3、MnCO3、Bi2O3等添加劑對(duì)于BaTiO3陶瓷系統(tǒng)介電性能以及居里峰移動(dòng)的影響。通過(guò)改變制備工藝,在910℃下,成功的制備了滿(mǎn)足要求的X8R陶瓷材料,主要性能參數(shù)如下:室溫介電常數(shù)ε25℃>2250,介電損耗tanδ<1.5%,-55℃到150℃范圍內(nèi)最大電容量變化率不超過(guò)±13%,滿(mǎn)足EIAX8R標(biāo)準(zhǔn)。另外,我們進(jìn)行了直流偏壓特性的研究,成功制備了滿(mǎn)足EIAX8R-BX的陶瓷介質(zhì)材

4、料。
　　3.我們研究了(BixNa1-x)TiO3(0.4≤x≤0.7)以及xBaTiO3-Bi0.5Na0.5TiO3(x=7,8,9,10,11)的制備工藝和介電性能。并且以此為基礎(chǔ),添加Nb2O5、SrTiO3等添加劑,嘗試不同的制備工藝,最終在960℃和1100℃下獲得了滿(mǎn)足要求的X9R陶瓷介質(zhì)材料,主要性能參數(shù)如下:(a)960℃燒結(jié),室溫介電常數(shù)ε25oC>1100,介電損耗tanδ<1.0%,-55℃到200℃范圍