高壓快速軟恢復(fù)二極管新結(jié)構(gòu)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著 IGBT、IGCT等新型電力半導(dǎo)體器件的應(yīng)用日益廣泛,與之反并聯(lián)的快速軟恢復(fù)二極管(Fast and soft recovery diode,簡稱FSRD)也成為研究的重點。為了提高電力電子系統(tǒng)的可靠性及使用壽命,對FSRD的性能要求也越來越高。因此,研究高壓快速軟恢復(fù)二極管對有重要意義。
　　本文以3.3kV快速軟恢復(fù)二極管為例,利用ISE-TCAD模擬軟件研究了FSRD新結(jié)構(gòu)的反向恢復(fù)工作機理,分析了關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)對各項特

2、性的影響,并提取了最優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)。主要研究內(nèi)容如下:
　　第一,簡要介紹了快速軟恢復(fù)二極管(FSRD)的結(jié)構(gòu)特點、工作機理及特性?；趐+pn-nn+結(jié)構(gòu),簡述了FSRD的阻斷、導(dǎo)通及正向恢復(fù)和反向恢復(fù)過程。
　　第二,研究了具有隱埋p+區(qū)的FSRD新結(jié)構(gòu)的反向恢復(fù)機理,分析了反向恢復(fù)過程中器件內(nèi)部少數(shù)載流子濃度分布及電場強度分布隨時間的變化,討論了隱埋 p+區(qū)對反向恢復(fù)特性的影響。
　　第三,研究了不同結(jié)構(gòu)參數(shù)對FS

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