高效率微波單片放大器電路研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進步，微波單片集成電路也變得尺寸更小、成本更低、功耗更小、噪聲更低、功率密度更大，所以越來越廣泛的應(yīng)用在現(xiàn)代通信、雷達系統(tǒng)和導(dǎo)彈制導(dǎo)等電子裝備上。本論文采用砷化鎵工藝分別對低噪聲放大器和高效率功率放大器的設(shè)計進行了研究，主要的研究內(nèi)容如下：
　　設(shè)計了一款工作頻率為2.0～2.15GHz的4W微波單片功率放大器。電路采用兩級放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，選用砷化鎵0.25um pHEMT工藝，利用負(fù)載牽引技術(shù)得到放

2、大管在最佳輸出功率時的輸出阻抗，設(shè)計匹配電路，保證放大器有最大輸出功率。功率放大器的末級采用Bus-Bar結(jié)構(gòu)，同時實現(xiàn)直流饋電與功率合成，即保證了末級合成效率也方便實現(xiàn)漏極的大電流饋電。最終版圖仿真結(jié)果，在2.0～2.15GHz的頻率范圍內(nèi)，輸出功率大于36dBm，增益大于35dB，效率大于40％。
　　設(shè)計了一款8mm波段（24～40GHz）微波單片低噪聲放大器，電路采用三級放大鏈路，選用砷化鎵0.15um pHEMT工藝，輸

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