先進(jìn)工藝中器件飽和電流的穩(wěn)定性.pdf

1、隨著半導(dǎo)體器件工藝的不斷發(fā)展,除了眾多器件性能,可靠性方面的考慮,工作電流的穩(wěn)定性同樣成為了不可忽視的因素。因為隨著器件尺寸的不斷減小,工藝制造上由于本身所帶有的誤差對器件的影響比例越來越大,所以在先進(jìn)工藝制造中,客戶對于工作電流的限定要求越來越高,而到了45nm這個節(jié)點(diǎn),器件工作的電流穩(wěn)定性已經(jīng)成為了客戶在量產(chǎn)前所必須認(rèn)可的指標(biāo)之一。
　　在集成電路制造的集成電路工藝過程中,由于工藝制程本身所存在的誤差,導(dǎo)致在設(shè)計上原本應(yīng)該是完

2、全相同的器件在實(shí)際測試中會看到比較大的差別,本文通過對工藝制造中各個環(huán)節(jié)的優(yōu)化,使得最終器件的工作電流穩(wěn)定性得到顯著的改善。第一章敘述了CMOS發(fā)展里程,發(fā)展趨勢,以及目前發(fā)展所面臨的挑戰(zhàn);第二章介紹了在Poly光刻時使用浸入式機(jī)臺所自帶的dose map功能來實(shí)現(xiàn)對一片晶圓每一個芯片使用不同的能量,以此來補(bǔ)償不同芯片之間CD存在的差異,從而最終達(dá)到提高器件在一片晶圓中的工作電流穩(wěn)定性;第三章又通過使用氮和碳離子注入來抑制其他注入離子在