激光干涉誘導(dǎo)表面微結(jié)構(gòu)對(duì)電化學(xué)刻蝕InP行為影響的研究.pdf

1、激光干涉刻蝕技術(shù)是目前較為先進(jìn)的有序納米陣列制備技術(shù)，該技術(shù)能在樣品表面實(shí)現(xiàn)規(guī)則點(diǎn)陣的制備，但是在對(duì)半導(dǎo)體基底刻蝕時(shí)，難以實(shí)現(xiàn)深度刻蝕。與之相比較，電化學(xué)刻蝕存在刻蝕速度較快，能在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)深度刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，是一種設(shè)備廉價(jià)、工藝簡(jiǎn)單、高效且能在大氣環(huán)境下進(jìn)行納米陣列結(jié)構(gòu)制備的方法。本論文將激光干涉刻蝕技術(shù)與電化學(xué)刻蝕技術(shù)有機(jī)結(jié)合，研究激光干涉刻蝕后形成坑蝕對(duì)電化學(xué)刻蝕的影響。首先，研究了電流和溫度對(duì)電化學(xué)刻蝕制備多孔InP的影響，發(fā)現(xiàn)溫

2、度一定時(shí)隨著電流密度的增加多孔InP表面形貌并未有明顯的變化而截面形貌則呈現(xiàn)有規(guī)律的變化，電流一定時(shí)隨著溫度的升高多孔InP截面形貌中念珠狀多孔層會(huì)逐漸消失。明確了電化學(xué)刻蝕過程中電壓隨時(shí)間變化關(guān)系曲線能夠直接反映多孔InP的截面形貌。接著，利用MATLAB軟件模擬了四光束激光干涉形成的干涉圖案，針對(duì)入射角度的改變，分析了干涉場(chǎng)內(nèi)的光強(qiáng)分布。最后，搭建四光束干涉系統(tǒng)，利用1064nm激光干涉對(duì)n-InP(100)表面直寫曝光，獲得了比較