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文檔簡介
1、準(zhǔn)分子激光電化學(xué)刻蝕工藝是一種將準(zhǔn)分子激光直接刻蝕和電化學(xué)刻蝕相結(jié)合而形成的新工藝。為研究該工藝對(duì)半導(dǎo)體硅材料的刻蝕性能，本文采用248nm KrF 準(zhǔn)分子激光作為光源，KOH溶液作為電化學(xué)刻蝕液，對(duì)其進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。在此基礎(chǔ)上，分析了該工藝刻蝕硅材料的基本形貌，以及影響刻蝕特性的若干關(guān)鍵因素。本文的主要內(nèi)容包括： （1）闡述了準(zhǔn)分子激光電化學(xué)刻蝕硅工藝的基本原理。工藝中同時(shí)存在三種刻蝕作用：準(zhǔn)分子激光直接刻蝕作用，KOH電化學(xué)
2、刻蝕作用，以及準(zhǔn)分子激光與電化學(xué)的耦合刻蝕作用。 （2）設(shè)計(jì)了工藝實(shí)驗(yàn)裝置。該裝置主要包括三個(gè)部分：準(zhǔn)分子激光器、電化學(xué)反應(yīng)池和工藝實(shí)驗(yàn)光路。在電化學(xué)反應(yīng)池中，硅片作為陽極浸沒在KOH電解液中，陰極采用網(wǎng)狀鉑電極，在兩電極之間加上一定的外加電壓，激光束可以通過反應(yīng)池上的透光窗口入射到硅樣片上。 （3）在實(shí)驗(yàn)結(jié)果的基礎(chǔ)上，分析了該工藝刻蝕硅材料的基本形貌和影響刻蝕特性的若干關(guān)鍵因素，并與準(zhǔn)分子激光直接刻蝕硅工藝、準(zhǔn)分子激光
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