準分子激光電化學刻蝕硅工藝實驗研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、準分子激光電化學刻蝕工藝是一種將準分子激光直接刻蝕和電化學刻蝕相結合而形成的新工藝。為研究該工藝對半導體硅材料的刻蝕性能，本文采用248nm KrF 準分子激光作為光源，KOH溶液作為電化學刻蝕液，對其進行了實驗研究。在此基礎上，分析了該工藝刻蝕硅材料的基本形貌，以及影響刻蝕特性的若干關鍵因素。本文的主要內容包括： （1）闡述了準分子激光電化學刻蝕硅工藝的基本原理。工藝中同時存在三種刻蝕作用：準分子激光直接刻蝕作用，KOH電化學

2、刻蝕作用，以及準分子激光與電化學的耦合刻蝕作用。 （2）設計了工藝實驗裝置。該裝置主要包括三個部分：準分子激光器、電化學反應池和工藝實驗光路。在電化學反應池中，硅片作為陽極浸沒在KOH電解液中，陰極采用網狀鉑電極，在兩電極之間加上一定的外加電壓，激光束可以通過反應池上的透光窗口入射到硅樣片上。 （3）在實驗結果的基礎上，分析了該工藝刻蝕硅材料的基本形貌和影響刻蝕特性的若干關鍵因素，并與準分子激光直接刻蝕硅工藝、準分子激光

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