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文檔簡介
1、隨著電子產品向著微型化、多功能化方向發(fā)展,焊點電流密度急劇增大,電遷移現(xiàn)象已成為影響焊點可靠性的重要問題。SnBi釬料由于熔點低、低膨脹系數、性能高及環(huán)境協(xié)調性良好等優(yōu)點而被廣泛應用。但電遷移易導致SnBi釬料組織及性能發(fā)生惡化,嚴重影響焊點可靠性,故研究SnBi釬料電遷移行為在電子封裝領域具有重要的意義。
本文以SnBi釬焊接頭作為研究對象,探究了電遷移對SnBi釬焊接頭微觀組織形貌、界面IMC及力學性能的影響。并進一步討論
2、Al2O3和Ce顆粒對SnBi釬料電遷移性能的影響。SnBi釬焊接頭通電240h后,陰極界面產生了裂紋,焊縫組織中形成一條粗大的富Bi帶。Bi原子在電子風力作用下不斷從陰極向陽極遷移,陰極界面附近由于大量Bi原子離開產生空位并逐步演化為空洞和裂紋。當大量的Bi原子遷移到陽極界面附近時,持續(xù)通電導致接頭溫度上升,Bi相發(fā)生長大并形成富Bi帶。此外,SnBi釬焊接頭陽極界面IMC厚度隨著通電時間的延長不斷增加,當通電時間超過240h后,陽極
3、IMC厚度的增加的速度不斷加快,這可能是由于接頭界面產生部分斷裂,界面面積減小,電流密度增大,加速Bi原子的遷移。Al2O3顆粒有效地提升了SnBi釬料的電遷移抗性,SnBi-0.5%Al2O3釬焊接頭隨通電時間的加長,顯微組織變化不大,IMC厚度變化程度也較小。這是由于Al2O3顆粒阻擋原子遷移的通道,使得原子遷移受阻,從而有效抑制了SnBi釬料的電遷移。Ce顆粒細化了SnBi釬料顯微組織,改善釬料的力學性能。隨通電時間延長,SnBi
4、-0.5%Ce接頭較穩(wěn)定,當通電330h后發(fā)生斷裂失效。接頭陽極界面IMC形貌由扇貝狀逐漸轉變?yōu)閷訝?,相比于SnBi釬料界面IMC厚度,SnBi-0.5%Ce釬料陰極和陽極界面IMC厚度變化程度較低。隨著通電時間的增長,SnBi,SnBi-0.5%Al2O3和SnBi-0.5%Ce接頭陰極側顯微硬度均逐漸降低,而陽極側顯微組織的顯微硬度則逐漸增加。這是由于大量Bi原子從陰極向陽極遷移,陰極側組織產生空洞和富Sn相,導致陰極側硬度不斷降低
5、;而陽極側形成大塊的Bi相,由于Bi相為硬脆相,最終導致陽極側組織的硬度不斷上升。其中SnBi-0.5%Al2O3釬焊接頭陰極和陽極側顯微硬度變化程度最低,這是由于Al2O3顆粒增強了釬料在電遷移過程的組織穩(wěn)定性。通電200h后,SnBi,SnBi-0.5%Al2O3和SnBi-0.5%Ce釬焊接頭抗拉強度分別為12MPa,33MPa和19MPa。同時,SnBi-0.5%Al2O3和SnBi-0.5%Ce釬焊接頭的延伸長度也相比于SnB
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