射頻IC量產(chǎn)化測(cè)試系統(tǒng)及其校正系統(tǒng)開(kāi)發(fā)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、高性能和高集成度是當(dāng)今半導(dǎo)體器件發(fā)展的主流趨勢(shì)。隨著芯片內(nèi)部復(fù)雜度的增加,對(duì)測(cè)試機(jī)臺(tái)的要求會(huì)越來(lái)越高,測(cè)試成本也隨之增大。半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,使得開(kāi)發(fā)高性能低成本的測(cè)試機(jī)臺(tái)具有重要的現(xiàn)實(shí)和理論意義。課題著眼于市場(chǎng)的迫切需求,旨在開(kāi)發(fā)出一套性能優(yōu)越、成本低廉的射頻芯片量產(chǎn)化測(cè)試系統(tǒng)。
　　本文主要是圍繞設(shè)計(jì)射頻測(cè)試系統(tǒng)及其配套的校正系統(tǒng)兩大任務(wù)展開(kāi)的。
　　首先,研究國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀,并介紹了半導(dǎo)體測(cè)試的基本理論、分析了本系統(tǒng)

2、與同類系統(tǒng)相比的優(yōu)點(diǎn)。
　　其次,開(kāi)發(fā)測(cè)試系統(tǒng)。包括三個(gè)方面的內(nèi)容:
　　(1)根據(jù)芯片測(cè)試要求選擇J750和PXI射頻模塊儀表的配置,并設(shè)計(jì)了系統(tǒng)的軟硬件平臺(tái)架構(gòu)。
　　(2)根據(jù)待測(cè)射頻信號(hào)具體情況開(kāi)發(fā)射頻控制箱。在開(kāi)發(fā)前對(duì)射頻功率測(cè)試的誤差原理做了理論研究,得出鏈路開(kāi)發(fā)中減小射頻功率測(cè)試誤差的方法。
　　(3)開(kāi)發(fā)測(cè)試系統(tǒng)軟件平臺(tái)。包括設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)系統(tǒng)流程,開(kāi)發(fā)具體測(cè)試項(xiàng),用模塊類優(yōu)化測(cè)試參數(shù)及測(cè)試常用動(dòng)作(

3、鏈路切換、管腳控制等),設(shè)計(jì)文件操作程序,設(shè)計(jì)測(cè)試界面等。
　　再次,開(kāi)發(fā)校正系統(tǒng)。包括三個(gè)方面的內(nèi)容:
　　(1)設(shè)計(jì)校正系統(tǒng)總體架構(gòu),設(shè)計(jì)校正流程。
　　(2)開(kāi)發(fā)GPIB相關(guān)程序,用類模塊優(yōu)化校正參數(shù)管理及校正常用動(dòng)作,開(kāi)發(fā)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。
　　(3)開(kāi)發(fā)儀表及射頻控制箱校正項(xiàng),開(kāi)發(fā)校正界面。
　　最后,研究了測(cè)試系統(tǒng)性能,包括系統(tǒng)測(cè)試誤差、測(cè)試不確定度等;并用系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)對(duì)芯片過(guò)程能力做了分析。

4、>　　本次開(kāi)發(fā)提出并實(shí)現(xiàn)了由中低端測(cè)試機(jī)臺(tái)外掛射頻儀表,產(chǎn)生射頻測(cè)試能力的設(shè)計(jì)思想。這對(duì)降低集成電路測(cè)試成本、提高我國(guó)量產(chǎn)化集成電路的競(jìng)爭(zhēng)能力有重要的現(xiàn)實(shí)意義。在開(kāi)發(fā)中還提出并實(shí)現(xiàn)了在線EQC的測(cè)試思路,這極大方便了卷裝料的量產(chǎn)測(cè)試。在開(kāi)發(fā)中運(yùn)用了類模塊的設(shè)計(jì)思想,這對(duì)程序書寫、管理,對(duì)其他芯片程序移植,及后續(xù)系統(tǒng)擴(kuò)展升級(jí)都提供了很大方便。
　　需要說(shuō)明的是,本課題選擇了RF7168射頻芯片做開(kāi)發(fā)例,但系統(tǒng)對(duì)這類射頻參數(shù)不是很多,