2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、本課題來源于十二五規(guī)劃863項目。在氮化鎵發(fā)光二極管(GaN LED)行業(yè)發(fā)展的今天,良率一直是影響金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法制備藍(lán)光LED利潤率的一個重要因素,如何提高良率并保持其重復(fù)性成為一個關(guān)鍵問題。
　　GaN藍(lán)光LED生產(chǎn)過程中的主要良率指標(biāo)有波長良率和波長標(biāo)準(zhǔn)差(STD)良率,波長STD即為單片GaN藍(lán)光LED外延片的波長均勻性,它是反映單片外延片波長一致性的指標(biāo)。而波長良率則表征整爐外延片片間波長均勻性和一

2、致性。本論文側(cè)重研究波長及波長STD良率的提升并研究其重復(fù)性。
　　通過研究VEECO K465 GaN MOCVD設(shè)備構(gòu)造、工藝條件以及生長工具的處理和選取等內(nèi)容,分別以托盤選型、托盤烘烤、工藝氣流條件優(yōu)化以及量子阱降溫模式為切入點,探索提升波長及其STD良率以及工藝重復(fù)性的問題。
　　本課題的創(chuàng)新點在于系統(tǒng)的提出一種較為優(yōu)化的托盤選型方法和托盤烘烤工藝,同時,得出了里圈外延片紅藍(lán)邊解決方法和量子阱最優(yōu)降溫模式,利用這些方

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