鋁合金微弧氧化厚膜工藝研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩103頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、本文系統(tǒng)介紹了鋁合金微弧氧化技術(shù)的概念、技術(shù)原理、影響因素、制備方法等研究進(jìn)展情況。微弧氧化工藝對環(huán)境無污染,陶瓷膜層與基體結(jié)合牢固、結(jié)構(gòu)致密,具有很好的耐磨性、耐腐蝕性、耐高溫沖擊和電絕緣性能,具有廣闊的應(yīng)用前景。
   本文采用直流脈沖微弧氧化電源設(shè)備,制備出不同電流密度下的微弧氧化陶瓷層,研究了試件表面生成的最大厚度的陶瓷膜的厚度隨電流密度的變化規(guī)律,并對膜層的微觀形貌、顯微硬度進(jìn)行了測試,綜合分析出膜層在最大厚度時最佳的

2、電流密度參數(shù)。采用自制的交流微弧氧化電源在不同的電解液配方下制備出微弧氧化試件,對試件表面生成的最大厚度的膜層進(jìn)行了厚度測試;然后對膜層的微觀形貌和顯微硬度進(jìn)行了測試,綜合分析選擇出最佳的溶液組分和濃度對陶瓷膜最大厚度的影響。
   實(shí)驗(yàn)最終制備出的微弧氧化陶瓷膜層厚度可達(dá)260μm,對應(yīng)2A12鋁合金的微弧氧化電解液最優(yōu)配方為:[Na2SiO3]6.0g·L-1,[KOH]1.0g·L-1;最佳電流密度參數(shù)為10A·dm-2。

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論