加載卸載磁頭抗沖擊特性分析及實驗研究.pdf

1、隨著電子信息的發(fā)展,電子產(chǎn)品越來越智能化、多功能化,電子產(chǎn)品的存儲設(shè)備也朝著微型化、高存儲容量的方向發(fā)展。作為電子產(chǎn)品存儲設(shè)備的典型代表的微硬盤的發(fā)展也越來越受關(guān)注,特別是存儲密度與抗跌落沖擊特性等方面成為國內(nèi)外學(xué)者重要的研究方向。為了迎合市場需求,硬盤的存儲密度飛速增加,最新資料表明硬盤采用新存儲技術(shù)HAMR的磁頭,其理論存儲密度可以達(dá)到5-10Tbit/in2,如此高的存儲密度將使硬盤的磁頭磁盤間距進(jìn)一步減小,這將對硬盤內(nèi)部的頭盤界

2、面抗沖擊特性提出巨大的挑戰(zhàn)。
　　為了提高微硬盤內(nèi)部的頭盤界面抗跌落沖擊特性,本文主要對頭盤界面的跌落沖擊響應(yīng)進(jìn)行研究。本文首先根據(jù)微硬盤驅(qū)動器的工作原理,對受到跌落撞擊的頭盤界面建立動力學(xué)模型,建立頭盤系統(tǒng)運動微分方程,通過數(shù)值仿真方法對頭盤界面的碰撞響應(yīng)進(jìn)行理論研究,得出硬盤驅(qū)動器頭盤碰撞時的碰撞曲線。
　　為了更全面地對微硬盤跌落沖擊響應(yīng)進(jìn)行正確預(yù)測,首先應(yīng)用ANSYS/LS-DYNA有限元動力仿真軟件建立完整的微硬盤

3、有限元模型,然后通過施加不同的沖擊載荷對微硬盤有限元模型進(jìn)行 LS-DYNA動力仿真,分析不同的沖擊幅值、脈沖寬度、跌落方式等對硬盤的磁盤片振動、頭盤碰撞、磁頭磁盤接觸力以及摩擦力的影響。
　　接著以沖擊實驗臺為基礎(chǔ),對微硬盤樣件進(jìn)行激光切割使符合實驗要求。設(shè)計加工微硬盤的夾具,建立跌落沖擊系統(tǒng)實驗臺,對微硬盤做跌落沖擊實驗,利用激光多普勒振動測試儀(LDV)測出微硬盤受到跌落沖擊作用時的頭盤界面的動態(tài)響應(yīng)。最后對微硬盤跌落沖擊實