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文檔簡介
1、多鐵材料BiFeO3由于其在室溫下具有鐵磁性,鐵電性以及鐵彈性共存的特性,使得它近年來受到了廣泛的關(guān)注。BiFeO3不僅在鐵電器件和磁性器件方面具有重要的應(yīng)用前景,而且它也可在磁電耦合方面應(yīng)用,因此它為器件模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用提供了廣闊的自由度,具有廣闊的應(yīng)用前景。液相自組裝技術(shù)是在傳統(tǒng)的液相沉積法基礎(chǔ)上,通過結(jié)合仿生合成理論所形成的新的制膜方法。近年來,由于其有原位自發(fā)形成、成鍵高度有序排列,缺陷少、結(jié)合力強(qiáng)、呈“結(jié)晶態(tài)”等特點(diǎn),而被廣泛應(yīng)
2、用于功能陶瓷薄膜的制備中。
本課題采用液相自組裝技術(shù),以O(shè)TS自組裝單分子層(OTS-SAMs)為模板,Bi(NO3)3·5H2O,F(xiàn)e(NO3)3·9H2O為原料,檸檬酸為螯合劑,在ITO玻璃基片上制備了純相和La摻雜BiFeO3晶態(tài)薄膜,并研究了制備工藝和鑭摻雜對BiFeO3薄膜制備、電容和損耗的影響,以及BiFeO3薄膜的生長機(jī)理。
本論文得到的主要結(jié)果如下:
1.該工藝制備BiFeO3薄
3、膜合適的pH值范圍為1.50~1.65。薄膜的電容隨頻率的增大而減小。在薄膜的損耗-頻率曲線中觀察到共振峰的存在。隨著pH的增加,薄膜的致密性變差,電容減小,損耗增加。
2.隨著沉積溫度的升高,BiFeO3的衍射峰強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),表面吸附的大顆粒增多,導(dǎo)致BiFeO3薄膜的電容逐漸減小,損耗逐漸增加,該工藝制備BiFeO3薄膜沉積溫度以75℃為宜。
3.由于檸檬酸對Fe3+的掩蔽作用,使得Bi3+絡(luò)合物比Fe3
4、+絡(luò)合物沉積速率大,導(dǎo)致薄膜出現(xiàn)Bi2O3和Bi2O2.33相,對薄膜的電性能產(chǎn)生不利影響,導(dǎo)致薄膜電容減小,損耗增加。合適的Fe3+/Bi3+摩爾比為2.6。
4.550℃退火2h的條件下得到了純相BiFeO3薄膜,薄膜平整致密,晶粒發(fā)育完整。隨著退火溫度的增加,保溫時(shí)間的延長,BiFeO3薄膜的電容逐漸增加,損耗逐漸減小。退火溫度過高,會導(dǎo)致Bi25FeO40雜相生成,晶粒異常長大;保溫時(shí)間過長,會導(dǎo)致BiFeO3高溫
5、分解;兩種情況都會導(dǎo)致BiFeO3薄膜的電容減小,損耗增大。
5.液相自組裝法制備純相BiFeO3薄膜可以在不同pH值的前驅(qū)液中制備出純相BiFeO3薄膜。Bi3+和Fe3+的絡(luò)合物以不同的速率被-OH誘導(dǎo)吸附到ITO玻璃基片上,形成牢固的化學(xué)鍵結(jié)合,退火處理后形成晶態(tài)BiFeO3薄膜。
6.La的最佳摻入量為5%。隨著La摻雜量的增加,衍射峰向小角度衍射角方向出現(xiàn)了明顯的偏移,BiFeO3薄膜的電容逐漸增加
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