碳化硅上石墨烯的制備與表征.pdf

1、石墨烯作為一種由碳原子構成的蜂窩狀二維晶體，以其非常高的比表面積和優(yōu)良的導電性能、極好的透光性、完美的量子隧穿效應和室溫量子霍爾效應等奇異特性受到人們的極大關注。其被認為是極有可能代替硅而成為新一代電子器件材料。
　　 本文闡述了目前制備石墨烯的主要方法，重點介紹了利用碳化硅外延石墨烯的優(yōu)勢，說明在碳化硅襯底上外延石墨烯是實現石墨烯應用于微電子領域中的有效途徑之一。利用現有實驗條件，通過改變和優(yōu)化石墨烯生長工藝條件，實現了碳化硅

2、襯底上的石墨烯外延。借助于XPS、Raman、SEM等表征手段，完成了所得樣品的表征，并對表征結果進行了分析。主要分析結果如下：⑴通過XPS、Raman手段，我們發(fā)現了碳化硅表面石墨烯的存在，證明了實驗方案的可行性；通過對不同溫度下生長的石墨烯的拉曼光譜的研究，我們發(fā)現隨著生長溫度的升高，外延石墨烯的尺寸增大、層數增多、缺陷減少。樣品拉曼光譜圖中2D峰的藍移表明外延石墨烯層中存在內壓應力，這個內壓應力來源于石墨烯與SiC襯底的熱膨脹系數