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1、2008年的2月,日本東京工業(yè)學(xué)院Hosono教授的研究小組發(fā)現(xiàn)在母體材料LaFeAsO中摻雜F元素可以實(shí)現(xiàn)26K的超導(dǎo)電性。隨后,各國(guó)科學(xué)家都投入到新材料的研究中,各種配方的鐵基超導(dǎo)材料不斷被制備出來,轉(zhuǎn)變溫度也不斷提高,中國(guó)科學(xué)家在該領(lǐng)域取得了十分突出的成果,制備出了多種鐵基超導(dǎo)材料,但對(duì)其交流損耗特性研究鮮有報(bào)道。
本文在參照國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究的基礎(chǔ)上,簡(jiǎn)述了超導(dǎo)體交流損耗產(chǎn)生的機(jī)理以及Bean臨界模型下帶狀超導(dǎo)體交流損
2、耗的理論計(jì)算方法;在此基礎(chǔ)上對(duì)磁測(cè)法、電測(cè)法和熱測(cè)法三種超導(dǎo)體交流損耗測(cè)量方法進(jìn)行了分析介紹;并采用電測(cè)法中的探測(cè)線圈法設(shè)計(jì)了一套交流損耗測(cè)量平臺(tái),按照設(shè)計(jì)參數(shù)設(shè)計(jì)、加工了包括探測(cè)線圈、補(bǔ)償線圈、補(bǔ)償電路、樣品骨架、超導(dǎo)交流磁體、低頻交流電源、低溫容器、放大器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)在內(nèi)的一系列實(shí)驗(yàn)裝置,按照IEC標(biāo)準(zhǔn)利用這些實(shí)驗(yàn)裝置搭建了一套交流損耗測(cè)量平臺(tái);并采用SQUID磁強(qiáng)計(jì)法用純鉛標(biāo)樣對(duì)其進(jìn)行了標(biāo)定,標(biāo)定結(jié)果表明所搭建平臺(tái)滿足測(cè)量要求;
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