2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、在過去的幾十年里，集成電路工藝得到飛速的發(fā)展，然而，微電子器件尺寸的進一步小型化將遇到很多根本性的物理問題。2010年，合成的石墨炔薄膜顯示出類似于硅半導體特性。之后，石墨炔碳納米管陣列以及石墨炔納米線也成功合成，表明石墨炔有望取代硅成為下一代集成電路的核心材料。但是，到目前為止并沒有關于成功合成單層石墨炔的報道。因此我們需要回答如下問題:單層石墨炔在室溫以上條件下其壽命如何？能否像石墨烯一樣在真空中穩(wěn)定存在？
　　最近建立的基于

2、單原子統(tǒng)計的物理模型已成功地應用于預測納米器件壽命以及表面吸附原子擴散速率。本文將這一模型應用于來預測α-，β-，6612-石墨炔和graphdiyne的穩(wěn)定性。為了保證該模型的準確性，我們進行了大量分子動力學模擬，結果表明單原子統(tǒng)計模型與分子動力學模擬一致吻合。在此基礎上，我們用第一性原理計算了α-，β-，6612-石墨炔和graphdiyne形成缺陷過程中沿著最小路徑的勢能曲線，得到形成缺陷需要跨過的勢壘分別為5.83 eV、4.3

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