石墨炔的熱穩(wěn)定性預(yù)測.pdf

1、在過去的幾十年里，集成電路工藝得到飛速的發(fā)展，然而，微電子器件尺寸的進(jìn)一步小型化將遇到很多根本性的物理問題。2010年，合成的石墨炔薄膜顯示出類似于硅半導(dǎo)體特性。之后，石墨炔碳納米管陣列以及石墨炔納米線也成功合成，表明石墨炔有望取代硅成為下一代集成電路的核心材料。但是，到目前為止并沒有關(guān)于成功合成單層石墨炔的報(bào)道。因此我們需要回答如下問題:單層石墨炔在室溫以上條件下其壽命如何？能否像石墨烯一樣在真空中穩(wěn)定存在？
　　最近建立的基于

2、單原子統(tǒng)計(jì)的物理模型已成功地應(yīng)用于預(yù)測納米器件壽命以及表面吸附原子擴(kuò)散速率。本文將這一模型應(yīng)用于來預(yù)測α-，β-，6612-石墨炔和graphdiyne的穩(wěn)定性。為了保證該模型的準(zhǔn)確性，我們進(jìn)行了大量分子動(dòng)力學(xué)模擬，結(jié)果表明單原子統(tǒng)計(jì)模型與分子動(dòng)力學(xué)模擬一致吻合。在此基礎(chǔ)上，我們用第一性原理計(jì)算了α-，β-，6612-石墨炔和graphdiyne形成缺陷過程中沿著最小路徑的勢能曲線，得到形成缺陷需要跨過的勢壘分別為5.83 eV、4.3