CdSe量子點(diǎn)摻雜光學(xué)材料的光譜與非線性特性分析.pdf

1、近年來，技術(shù)的發(fā)展引領(lǐng)了向微觀以及納米尺寸結(jié)構(gòu)材料的研究熱潮。應(yīng)運(yùn)而生的便是納米顆粒和量子點(diǎn)(QDs)。量子點(diǎn)也是一種半導(dǎo)體材料，但和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的本質(zhì)區(qū)別在于，傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的能級(jí)結(jié)構(gòu)是連續(xù)的，而量子點(diǎn)的能級(jí)結(jié)夠是分立的。這樣一種獨(dú)特結(jié)構(gòu)的材料，必然有著獨(dú)特的電子以及光學(xué)性質(zhì)，可以為將來更為廣闊的技術(shù)發(fā)展領(lǐng)域，如激光，傳感器，量子計(jì)算設(shè)備等，打下良好基礎(chǔ)。
　　在本文中，我們制備了摻雜CdSe/ZnS量子點(diǎn)的薄膜，并運(yùn)用McC

2、umber理論對(duì)該量子點(diǎn)的發(fā)射截面進(jìn)行了估算。根據(jù)相應(yīng)波長(zhǎng)及計(jì)算得到的發(fā)射截面，我們求得量子點(diǎn)的熒光壽命為1.12ns。通過與之前文獻(xiàn)所報(bào)道的結(jié)果進(jìn)行比較，我們發(fā)現(xiàn)測(cè)量值與計(jì)算值相當(dāng)吻合，證實(shí)在計(jì)算具有分裂能級(jí)的量子點(diǎn)的發(fā)射截面時(shí)，McCumber理論依然成立。
　　之后，我們將Q-shift CdSe量子點(diǎn)散布于光學(xué)UV膠中制各成量子點(diǎn)摻雜薄膜，利用自行搭建的Z-Scan裝置，配合半導(dǎo)體泵浦固體(DPSS)激光器，在473nm的