高頻磁性薄膜及其在電磁噪聲抑制中的應(yīng)用.pdf

1、面對(duì)電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)以及高頻電磁環(huán)境的日益惡化,EMC問(wèn)題成為人們?nèi)找骊P(guān)心的重點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)高頻電磁噪聲信號(hào)的抑制,避免各級(jí)電路和各種電子設(shè)備之間的電磁信號(hào)干擾,保證一個(gè)良好的電磁環(huán)境,人們研究了各種新型抗EMI器件和材料。本文以高頻磁性薄膜噪聲抑制器為研究對(duì)象對(duì)其進(jìn)行了原理到設(shè)計(jì)、制備各個(gè)方面的研究,主要內(nèi)容如下:
　　1.采用HFSS有限元仿真的方法對(duì)薄膜噪聲抑制器進(jìn)行了仿真,研究發(fā)現(xiàn)了三維尺寸影響了薄膜的退磁

2、因子和磁導(dǎo)率,進(jìn)而影響了薄膜的鐵磁共振頻率和噪聲抑制效果;薄膜電阻對(duì)插入損耗和噪聲信號(hào)功率損耗均有很大的影響,應(yīng)合理控制薄膜電阻;多層膜的引入可以有效的減小渦流損耗造成的通頻帶內(nèi)的插入損耗,同時(shí)提高阻帶內(nèi)的噪聲抑制效果;計(jì)算和仿真了新型的鐵磁性納米陣列薄膜噪聲抑制器,提出了提高薄膜噪聲抑制器抑制效果和減小厚度的一些方法,為后文薄膜的制備提出了實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。
　　2.采用固相反應(yīng)法制備了Ni0.22Zn0.52Co0.03Fe2.23O

3、4鐵氧體靶材,通過(guò)磁控濺射工藝研究了FeCo薄膜的最佳制備工藝,得出了在Ar氣流量30sccm、濺射功率200W制備工藝下薄膜具有最佳高頻磁特性。
　　3.采用貼靶的方法制作了FeCo基復(fù)合靶材,通過(guò)控制FeCo基靶上的NiZn鐵氧體靶材數(shù)量控制薄膜的成分,濺射工藝采用FeCo的最佳制備工藝,制備了不同厚度的薄膜,最終得出隨著NiZn鐵氧體成分的提高,薄膜的電阻率提高,但是高頻磁特性有所下降。
　　4根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)(IE