高頻軟磁薄膜的制備及其電磁噪聲抑制性能應(yīng)用研究.pdf

1、隨著電子器件應(yīng)用頻率逐漸提高，現(xiàn)代電子設(shè)備對抗電磁干擾和電磁兼容技術(shù)提出了更高的要求。單片微波集成電路（MMIC）是未來微波器件和電路的發(fā)展方向。對微波電路及芯片內(nèi)部高頻傳輸線上信號中的高頻電磁噪聲進行抑制，可以降低器件和電路的電磁兼容成本，減小體積，提高性能。本文針對上述背景，研究應(yīng)用于抑制高頻傳輸線電磁噪聲的薄膜噪聲抑制器，主要工作有：
　　采用有限元仿真軟件HFSS研究磁性薄膜在微帶傳輸線上的電磁噪聲抑制性能，從理論上證明了

2、薄膜電磁噪聲抑制器的重要機理為鐵磁共振，同時電磁噪聲抑制頻率隨薄膜尺寸改變主要是因為退磁因子變化導(dǎo)致鐵磁共振頻率變化。
　　研究了濺射工藝對NiZn鐵氧體薄膜軟磁性能的影響，得出最佳制備工藝條件為：背底真空低于5×10-4Pa，基片溫度300℃，濺射功率為140W，濺射氣壓為0.8Pa，退火溫度800℃。在此工藝基礎(chǔ)上，研究了Fe3O4為底層對NiZn鐵氧體薄膜性能的影響，研究表明添加了Fe3O4底層后，可以降低退火溫度，且磁導(dǎo)率

3、虛部略有提高。
　　研究了NiFe/IrMn鐵磁/反鐵磁多層薄膜中鐵磁層和反鐵磁層厚度變化對薄膜磁性能的影響。結(jié)果表明各向異性場和交換偏置場均隨鐵磁層厚度增加逐漸降低，而隨反鐵磁層厚度的增加迅速增加，反鐵磁層厚度達7nm后趨于穩(wěn)定。在薄膜的磁滯回線中出現(xiàn)了兩個不同大小的交換偏置場，從而導(dǎo)致磁譜中出現(xiàn)了兩個共振峰，其原因為底層NiFe受單層IrMn釘扎，其交換偏置場較小所致。
　　制作了共面波導(dǎo)測試夾具，測試薄膜電磁噪聲抑制性