低壓VDMOS器件的研究與應用.pdf

1、低壓VDMOS是現(xiàn)如今主流的功率半導體器件之一，具有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、可靠性強等優(yōu)點，在電力電子領域內有著廣泛應用。低壓VDMOS的溝槽型結構由于消除了平面型VDMOS的頸區(qū)電阻，大大減小了導通電阻，增加了元胞密度，提高了功率半導體的電流處理能力，市場前景更為看好。因此，對溝槽型低壓VDMOS的研制有極大的現(xiàn)實意義。
　　本文首先給出了溝槽型VDMOS的閾值電壓和導通電阻表達式，公式揭示了其與器件寬長比、柵氧化層

2、電容和溝道載流子遷移率等參數之間的關系；基于器件擊穿特性提出了器件終端結構的設計方案。然后，提出了溝槽型VDMOS器件的一種二端口應用--VDMOS二極管，重點推導了考慮襯底正偏效應的正向壓降、單位寬度上的電流表達式，分析了其與柵氧化層厚度、襯底摻雜濃度之間的關系，闡述了短溝道效應對漏電流的影響，并給出了漏電流表達式。最后，在理論分析的基礎上，利用工藝仿真軟件Tsuprem4和電學特性仿真軟件Medici，分別對溝槽型VDMOS和VDM

3、OS二極管進行結構模擬和電學特性的仿真，仿真結果與理論相符合，研究了元胞尺寸與技術參數之間的關系，給出了最佳設計方案。
　　本文實現(xiàn)了75V/82A溝槽型VDMOS器件和80V/10A VDMOS二極管的設計。流片測試的結果表明：溝槽型VDMOS器件的擊穿電壓大于85V，閾值電壓為2.9V，導通電阻為7-9mΩ，與計算機仿真的結果相吻合，并且完全符合該類型器件的設計指標。該產品已在電動車控制電路上試用，達到了預期的目標；VDMOS