銅基薄膜的制備及電爆性能研究.pdf

1、爆炸橋箔在沖擊片雷管中扮演了最重要的角色，最常用的橋箔材料為銅。磁控濺射是目前沖擊片雷管所用銅箔的最優(yōu)制造工藝，而不同濺射參數(shù)對薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌和性能有著重要影響。為此，本文利用磁控濺射法制備銅薄膜用于爆炸橋箔，研究了制備工藝與銅膜生長、組織特征和電爆性能之間的關(guān)系。主要研究內(nèi)容及成果如下：
　?。?）采用直流磁控濺射法在不同靶基距、不同濺射功率和工作氣壓條件下沉積了一系列Cu薄膜，并對其進(jìn)行X射線衍射、原子力顯微鏡、電阻率測試，

2、表征了Cu薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌以及電阻率；通過紫外光刻技術(shù)將Cu薄膜制成橋箔，采用電爆測試平臺(tái)獲得了Cu橋箔的電爆參數(shù)。
　?。?）研究了靶基距與薄膜均勻性的關(guān)系，結(jié)果表明：隨靶基距的增大，膜厚均勻性越來越好，但同時(shí)，薄膜的沉積速率會(huì)迅速降低。
　　（3）分析了工藝參數(shù)對Cu薄膜的沉積速率、微觀結(jié)構(gòu)和電阻率的影響，結(jié)果表明：隨濺射功率增大，Cu薄膜的沉積速率增加、晶粒尺寸增大、Cu(111)晶面擇優(yōu)取向特性變差，且電阻率