電沉積法制備銅銦硒薄膜.pdf

1、尋找可再生、廉價(jià)、清潔新能源己成為當(dāng)前人類面臨的迫切課題。其中，太陽(yáng)能是一種清潔、安全、環(huán)?？稍偕茉?。CuInSe2(簡(jiǎn)稱為CIS)是一種直接帶隙材料，光吸收系數(shù)高達(dá)105數(shù)量級(jí)，是目前己知的光吸收性最好的半導(dǎo)體薄膜材料，由于其光電轉(zhuǎn)換效率高，使得CIS薄膜太陽(yáng)電池成為當(dāng)今光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
　　本文以硫酸銅、硫酸銦、亞硒酸和絡(luò)合劑檸檬酸鈉的水溶液為電解液，在鍍有Ni層的低碳鋼上采用恒電位電沉積方法制備出太陽(yáng)能電池薄膜材料CI

2、S薄膜。通過(guò)X射線熒光光譜儀(XRF)、X射線衍射儀(XRD)、粗糙度儀、金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡(SEM)、以及線性掃描方法對(duì)制備的薄膜的各種性能進(jìn)行表征。
　　試驗(yàn)結(jié)果表明隨著銦鹽及絡(luò)合劑含量的增加，pH值接近1.5時(shí)鍍層的光電轉(zhuǎn)化性能最好，鍍層成分最接近Cu、In、Se三種元素理想配比(即原子個(gè)數(shù)比為1:1:2)。通過(guò)上述研究?jī)?yōu)化出四種較優(yōu)的工藝配方，并對(duì)其在不同電壓下進(jìn)行光電轉(zhuǎn)化性能、薄膜成分及晶體結(jié)構(gòu)的研究。