帶柵極納米線冷陰極場發(fā)射顯示器件的研制.pdf

1、納米線冷陰極具有優(yōu)越的場發(fā)射特性，在場發(fā)射顯示器(FED)中有重要的應用，受到了研究者的廣泛關注。
　　 本博士論文首先介紹了場發(fā)射理論并回顧了場發(fā)射平板顯示技術的發(fā)展，分析了場致發(fā)射平板顯示器件的關鍵技術和面臨的主要問題。論文接下來介紹了帶柵極納米線冷陰極場發(fā)射顯示器件的結構及其工作原理和制作工藝，然后介紹了適合于器件應用的氧化銅(CuO)納米線冷陰極的制備及其場發(fā)射性能，以及研制了帶柵極CuO納米線冷陰極電子源陣列及其場致發(fā)

2、射器件的研究結果，最后還介紹了采用氧化鋅(ZnO)納米線為冷陰極的場致發(fā)射顯示器件的探索研究。本論文的主要研究成果可概述如下：
　　 1.發(fā)展了一種帶柵極的納米線冷陰極電子源陣列的結構。系統(tǒng)研究了該器件結構的工作原理與特性，通過模擬計算發(fā)現(xiàn)，該結構可實現(xiàn)低控制電壓調制且可有效提高電子發(fā)射均勻性。此外，該結構中的電子源為納米線冷陰極陣列，其制備方法簡單、可低溫生長。
　　 2.提出了一種帶柵極的納米線冷陰極電子源陣列的制作

3、方法。這種方法具有工藝簡單、可控性高等特點。該方法結合了薄膜微加工工藝和自組裝生長工藝。納米線冷陰極采用無需催化劑的直接氧化法制作。采用多層金屬薄膜電極條提高電極的導電性；采用多層復合絕緣薄膜提高絕緣層的絕緣特性。發(fā)展了濕法清洗的方法，有效地提高了納米線薄膜與下層電極接觸的均勻性，提高了器件發(fā)射均勻性。
　　 3.采用帶柵極的氧化銅(CuO)納米線冷陰極電子源陣列，制作出場發(fā)射顯示器。利用上述的制作方法制作了帶柵極的CuO納米線