納米晶體硅量子點場致發(fā)射冷陰極研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、場致發(fā)射顯示(FED)是發(fā)光原理最接近陰極射線管(CRT)的一種平板顯示器件.它具有LCD的薄板厚度、CRT般快速的響應(yīng)速度和較大的動態(tài)范圍.而冷陰極是FED的重要組成部分,冷陰極材料的研究一直受到人們的廣泛關(guān)注.納米晶體硅(nc-Si)場致發(fā)射冷陰極作為全硅顯示器件,與微電子工藝兼容,可集成到大規(guī)模集成電路中,是顯示器件的一個重大突破,被認為是最有前途的電子發(fā)射極.本文介紹了幾種主流平板顯示器的發(fā)展狀況和場致發(fā)射冷陰極材料的研究情況,

2、闡述了場致發(fā)射的理論基礎(chǔ).研究了nc-Si薄膜的一些制備方法,并利用激光燒蝕沉積和高溫快速退火相結(jié)合的方法,在n-Si(4-5Ω·cm)襯底上生長了400nm厚的nc-Si量子點薄膜.利用拉曼光譜儀(Raman)、X射線衍射儀(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)以及原子力顯微鏡(AFM)等測試儀器對nc-Si 薄膜進行全面的表征,發(fā)現(xiàn)制備的nc-Si量子點排列緊密、尺寸均勻,且具有很好的單晶結(jié)構(gòu),制備的nc-Si薄膜晶化比例很高,證實可

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