ZnO基透明導(dǎo)電薄膜的濕化學(xué)制備.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩68頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、ZnO原料豐富且無污染,是一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為3.37 eV,激子結(jié)合能達到60 meV。ZnO薄膜具有優(yōu)良的光電性能,在太陽能電池、晶體管、發(fā)光器件等方面有良好的應(yīng)用前景。ZnO薄膜的制備方法主要有磁控濺射法等物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法以及濕化學(xué)法。其中濕化學(xué)方法所需設(shè)備簡單,能夠在襯底上實現(xiàn)大面積薄膜制備。本研究采用溶膠-凝膠法和化學(xué)浴沉積法兩種濕化學(xué)方法制備ZnO基透明導(dǎo)電薄膜。以X射線衍射(XRD)、掃

2、描電子顯微鏡(SEM)、X射線光電子能譜分析(XPS)、紫外可見分光光度計、四探針法等分析測試方法對薄膜樣品的結(jié)構(gòu)、形貌、化學(xué)組成以及光電性能進行表征。
  本研究主要內(nèi)容包括:⑴在查閱相關(guān)文獻的基礎(chǔ)上,對ZnO的基本結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)進行簡單歸納,重點綜述了ZnO薄膜的濕化學(xué)制備方法。⑵通過溶膠-凝膠法制備了Si摻雜ZnO(ZnO:Si)薄膜,并對其進行紫外光照射和氫氣還原處理來提高ZnO:Si薄膜的電導(dǎo)率。ZnO:Si薄膜的最低電

3、阻為1.6k,透光率在80%以上。⑶采用溶膠-凝膠法制備了CuO及ZnO/CuO/ZnO薄膜,經(jīng)氫氣還原后獲得Cu及ZnO/Cu/ZnO薄膜。Cu膜的電阻為10,但ZnO/Cu/ZnO多層膜的電阻較高,為10k。這是由于Cu在ZnO中的浸潤性較差,在多層膜中形成了島狀分散的Cu晶粒。⑷采用化學(xué)浴沉積法制備了In摻雜ZnO(ZnO:In)薄膜。通過改變?nèi)軇┙M成,實現(xiàn)了薄膜擇優(yōu)取向從[002]晶向到[100]和[110]晶向的可控調(diào)節(jié)。同時

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論