不同切割方式對GaN基LED芯片外量子效率影響的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、自從1991年Nichia公司成功研制出GaN基藍(lán)光LED后,GaN基藍(lán)光LED得到了迅速發(fā)展。LED以其低耗能、長壽命、綠色環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),成為2l世紀(jì)的新一代照明光源。隨著III-V族半導(dǎo)體工藝的日趨成熟,LED芯片研制不斷向高效高亮度方向發(fā)展。隨著其應(yīng)用越來越廣泛,如何提高GaN基LED的發(fā)光效率越來越成為關(guān)注的焦點(diǎn),影響LED發(fā)光效率的因素主要有內(nèi)量子效率與外量子效率,外量子效率的提高成為半導(dǎo)體照明LED關(guān)鍵技術(shù)之一。傳統(tǒng)的芯片切割

2、方式因其效率低,成品率不高已逐漸落伍,不能滿足現(xiàn)代化生產(chǎn)的需要,目前激光切割方式正逐漸取代傳統(tǒng)切割,而激光切割對GaN基LED芯片外量子效率產(chǎn)生一定的影響,如何降低激光對LED出光的影響,提升GaN基LED外量子效率成為目前研究的熱點(diǎn)課題之一。
　　本文主要通過實(shí)驗(yàn)和分析研究了紫外激光劃片方式、SD劃片方式對 LED芯片外量子效率的影響,并對兩種不同的切割方式對LED芯片外量子效率的影響作了比較,發(fā)現(xiàn)激光劃痕造成的發(fā)光損耗面積越大

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