準方鈷礦材料R3Os4Ge13(R=Yb,Y)結(jié)構(gòu)和物性的研究.pdf

1、過去的幾十年里，準方鈷礦結(jié)構(gòu)R3T4X13族化合物的研究一直備受關(guān)注，科研人員的不懈努力使其不斷擴充，并陸續(xù)發(fā)現(xiàn)了許多獨特物性。在這一系列材料中，R為稀土或堿土金屬元素，T為從3d到5d的過渡金屬，X為第三或第四主族元素。此類化合物通常表現(xiàn)出空間群為Pm-3n的立方結(jié)構(gòu)，但由于三個位置元素的不同而展現(xiàn)出迥異的物性。
　　本論文的工作主要包括兩方面，一是對準方鈷礦結(jié)構(gòu)Yb3Os4Ge13材料中近藤效應的研究，二是探索了Y3Os4Ge

2、13多晶中低載流子濃度超導電性。
　　我們利用Bi作助熔劑首次成功制備出Yb3Os4Ge13單晶，X射線衍射結(jié)果顯示其為籠狀的準方鈷礦結(jié)構(gòu)，空間群為Pm-3n(223)。磁性測量表明，溫度在120K以上Yb3Os4Ge13具有完全局域化的Yb的4f磁矩。在40K以下電阻率表現(xiàn)出對數(shù)型上翹。比熱系數(shù)γ在5K以下急劇增大，在2K達到2J/mol·K2。通過對實驗數(shù)據(jù)的分析和電子能帶結(jié)構(gòu)計算表明，由于局域化的Yb的f磁矩與Ge的p電子之

3、間的強烈雜化導致Yb3Os4Ge13展現(xiàn)出近藤效應。我們利用電弧熔煉法制備出Yb3Os4Ge13多晶樣品，通過相同的檢測和分析，表明其具有和單晶一致的近藤行為。對鋨(Os)基化合物Yb3Os4Ge13的研究將有助于全面理解從3d到5d的T位元素在R3T4X13族化合物中的作用。
　　我們利用通過電弧熔煉法首次制備出Y3Os4Ge13多晶樣品，X射線衍射結(jié)果表明其為立方結(jié)構(gòu)，空間群為Pm-3n(223)。通過對其磁性，電阻率和比熱的