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1、GaN材料是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,對(duì)它的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)。同時(shí)元激發(fā)的性質(zhì)是揭示電子.電子相互作用機(jī)制的重要理論根據(jù)。所以,對(duì)GaN材料的元激發(fā)性質(zhì)的研究顯得尤為重要。
本論文中,在單量子阱的模型下,考慮到AlxGa1-xN-GaN界面處的極化效應(yīng),由自洽求解的方法得到系統(tǒng)的波函數(shù)和本征能量。
基于無規(guī)相近似下的介電函數(shù)張量理論,在單電子哈密頓量的本征矢空間中推
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