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1、由于在揭示電子-電子相互作用機(jī)制方面的重要性,半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)(超晶格、量子阱、量子線和量子點(diǎn)等)中集體激發(fā)性質(zhì)的研究成為目前凝聚態(tài)物理十分前沿的研究領(lǐng)域之一,受到了廣泛和持續(xù)的關(guān)注。近年來(lái)對(duì)半導(dǎo)體低維系統(tǒng)集體激發(fā)的研究主要集中在介電匹配的情形下。本文系統(tǒng)研究了由于介電失配產(chǎn)生的鏡像勢(shì)對(duì)對(duì)稱半導(dǎo)體雙量子阱系統(tǒng)中等離激元性質(zhì)的影響,并比較了介電匹配與失配下等離激元頻率譜的差異。 我們?cè)趩坞娮庸茴D量的本征矢空間中得到了對(duì)稱半導(dǎo)體雙量
2、子阱系統(tǒng)基于無(wú)規(guī)相近似下的介電函數(shù),并在二子帶模型下推導(dǎo)了確定對(duì)稱雙量子阱系統(tǒng)中子帶內(nèi)與子帶間等離激元的方程。應(yīng)用鏡像法求出了系統(tǒng)鏡像電荷的大小及位置,得出了包含鏡像力勢(shì)的相互作用勢(shì)的表達(dá)式。 研究中發(fā)現(xiàn)在介電匹配與失配兩種情況下均存在兩支集體激發(fā)模,能量較高的一支代表子帶間的集體激發(fā),能量較低的一支代表子帶內(nèi)的集體激發(fā),兩者相互獨(dú)立。與介電匹配時(shí)相比,由于鏡像勢(shì)的存在,子帶內(nèi)與子帶間等離激元模均發(fā)生變化,帶間等離激元模變化尤其
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