PI-MWNTs納米雜化薄膜的制備與電性能研究.pdf

1、聚酰亞胺(PI)作為一種高性能工程材料,在寬廣的溫度范圍內(nèi)有著優(yōu)異的物理及化學(xué)性能,能夠廣泛應(yīng)用在航空/航天、電氣/電子等領(lǐng)域。近十年來(lái),為滿足各領(lǐng)域?qū)I材料性能更高的要求,國(guó)內(nèi)外學(xué)者采用各類無(wú)機(jī)納米粒子組分改性PI,與其它無(wú)機(jī)納米粒子相比,碳納米管(MWNTs)具有極大的長(zhǎng)徑比、高強(qiáng)度、一維導(dǎo)電、高導(dǎo)熱性等諸多優(yōu)異性能,成為近年來(lái)改性PI的研究熱點(diǎn)。
　　 本文擬采用MWNTs對(duì)PI進(jìn)行改性,利用兩種方法對(duì)不同長(zhǎng)徑比的。MW

2、NTs進(jìn)行了功能化處理,并將功能化的MWNTs均勻分散在N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)溶劑中,在MWNTs的DMAc溶液中原位生成均苯型聚酰胺酸雜化膠液,然后在玻璃板上流延成膜,經(jīng)過(guò)逐步升溫?zé)醽啺坊?得到三個(gè)系列的PI/MWNTs納米雜化薄膜。
　　 本文對(duì)雜化薄膜的表面和斷面形貌進(jìn)行了表征,對(duì)雜化薄膜的電性能進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明:MWNTs的功能化處理改善了其在溶液和雜化薄膜中的分散性,增強(qiáng)了與PI基體的相容性。在摻雜量

3、小于0.7wt％時(shí),三種雜化薄膜的耐電暈時(shí)間均隨摻雜量的增加先升高后下降,A體系的耐電暈時(shí)間最長(zhǎng)為7.75h,B體系為5.75h,C體系為9.5h；摻雜量小于5wt％時(shí),雜化薄膜的介電常數(shù)隨著MWNTs摻雜量的增加而變大,在102Hz～106Hz頻率范圍內(nèi)隨著頻率的升高而減??；摻雜量小于0.56wt％時(shí),雜化薄膜的介電損耗在102Hz～106Hz頻率范圍內(nèi)隨頻率升高而增加,隨著摻雜量的提高而變大；摻雜量小于1.5wt％時(shí),三個(gè)體系雜化薄