基于SOI工藝的高壓LED驅(qū)動設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來，隨著經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，能源短缺現(xiàn)象日益嚴(yán)重。而傳統(tǒng)光源對電源的利用率不高，很大一部分電能都轉(zhuǎn)化為熱能浪費掉了。LED照明技術(shù)的出現(xiàn)和成熟，很好地緩解了這一問題，其高效率、低污染的優(yōu)點，使得其很適合作為下一代照明技術(shù)。但目前市面上的LED驅(qū)動芯片，鮮有耐高壓的型號。
　　 本文將SOI(Silicon-on-Insulator)技術(shù)應(yīng)用到LED驅(qū)動的設(shè)計中，設(shè)計了一款基于SOI工藝的高壓LED驅(qū)動芯片。設(shè)計時首先提出了該驅(qū)動

2、的系統(tǒng)框圖，介紹其工作原理，再對各內(nèi)部模塊進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。該LED驅(qū)動輸入電壓范圍為40V至625V，采用峰值電流模式控制，并提供線性與PWM(Pulse Width Modulation)兩種調(diào)光方式，根據(jù)不同應(yīng)用，外接的LED燈可達(dá)十幾至上百個不等。設(shè)計采用X-FAB1μm高壓SOI BCD工藝，可同時集成Bipolar、CMOS和DMOS器件。其內(nèi)部可集成漏源耐壓達(dá)650V，柵端耐壓為20V的N型LDMOS，為實現(xiàn)超高壓設(shè)計提供

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