基于SOI工藝的高壓LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩75頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、近年來(lái)，隨著經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，能源短缺現(xiàn)象日益嚴(yán)重。而傳統(tǒng)光源對(duì)電源的利用率不高，很大一部分電能都轉(zhuǎn)化為熱能浪費(fèi)掉了。LED照明技術(shù)的出現(xiàn)和成熟，很好地緩解了這一問(wèn)題，其高效率、低污染的優(yōu)點(diǎn)，使得其很適合作為下一代照明技術(shù)。但目前市面上的LED驅(qū)動(dòng)芯片，鮮有耐高壓的型號(hào)。
　　 本文將SOI(Silicon-on-Insulator)技術(shù)應(yīng)用到LED驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)了一款基于SOI工藝的高壓LED驅(qū)動(dòng)芯片。設(shè)計(jì)時(shí)首先提出了該驅(qū)動(dòng)

2、的系統(tǒng)框圖，介紹其工作原理，再對(duì)各內(nèi)部模塊進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。該LED驅(qū)動(dòng)輸入電壓范圍為40V至625V，采用峰值電流模式控制，并提供線性與PWM(Pulse Width Modulation)兩種調(diào)光方式，根據(jù)不同應(yīng)用，外接的LED燈可達(dá)十幾至上百個(gè)不等。設(shè)計(jì)采用X-FAB1μm高壓SOI BCD工藝，可同時(shí)集成Bipolar、CMOS和DMOS器件。其內(nèi)部可集成漏源耐壓達(dá)650V，柵端耐壓為20V的N型LDMOS，為實(shí)現(xiàn)超高壓設(shè)計(jì)提供

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論