硫族半導體光催化材料的修飾及其性能的研究.pdf

1、隨著工業(yè)的快速發(fā)展，廢水的種類和數(shù)量日益增加，環(huán)保意識薄弱和不合理的治污技術等原因導致水環(huán)境的污染問題越來越嚴重。目前許多物理和化學的方法也都被運用去除廢水中的這些污染物，然而，這些方法大多具有效率低、能耗大、成本高、可能產生二次污染等問題。半導體光催化氧化技術是一種新型的現(xiàn)代化水處理技術，對多種有機物污染物有明顯的降解效果。但光催化氧化技術在實際應用過程中還存在許多問題，如何對他們進行進一步的修飾，使他們更好的為人類服務是我們研究的目

2、的。
　　本文運用用低溫共沉淀法合成網狀結構的rGO/SnIn4S8，這種方法簡單、方便，而且光催化降解污染物羅明丹B的效率高，同時我們合成了ZnFe2O4/SnS2復合催化劑，通過摻雜石墨烯進一步的來提高降解甲基橙的光催化效果，此外，在SnS2中摻雜g-C3N4進行修飾，也使得光催化效果得到了很大的改進。主要研究內容如下：
　　(1)用低溫共沉淀法合成網狀結構的rGO/SnIn4S8，研究摻雜不同比例的石墨烯對及SnIn4

3、S8光催化劑在可見光條件下光催化活性產生的影響。結果表明5％rGO/SnIn4S8的光催化效果最佳。
　　(2)用高溫共沉淀法合成ZnFe2O4/SnS2復合催化劑，同時摻雜石墨烯進行修飾，使得光催化的效率有了明顯的提高。得出5%ZnFe2O4/SnS2/rGO（7wt%）光催化效果最佳。
　　(3)用高溫法合成SnS2。通過摻雜一定比例量的g-C3N4，來合成可見光響應強、光催化活性高的g-C3N4/SnS2復合光催化劑，