肖特基二極管抗輻照能力表征技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了滿足航天電子系統(tǒng)對SBD抗輻照能力進行評估的要求，本論文課題通過理論研究和60Co r射線輻照實驗數(shù)據(jù)分析，研究了器件輻照損傷效應及其抗輻照能力的表征方法。文中設(shè)計了SBD器件印Co丫射線輻照實驗，測試器件電特性和1/f噪聲特性，詳細分析器件損傷微觀機制，深入研究輻照損傷對SBD器件正反向1.v特性和l/f噪聲的影響，并確定反向漏電流、擊穿電壓和1/f噪聲功率譜強度擬合參數(shù)B為器件抗輻照能力表征參量。 研究結(jié)果表明，輻照主要

2、產(chǎn)生電離效應，在器件表面的鈍化層中引人界面態(tài)，使器件性能退化，反向擊穿電壓減小、漏電流變大、1/f噪聲參數(shù)B急劇增加；但是沒有明顯引起正向特性變化。輻照誘生新的界面態(tài)，改變界面態(tài)密度分布，進而調(diào)制了肖特基勢壘高度，增大表面復合速度，是引起器件性能退化主要原因，也是1/f噪聲劇烈增加的主要原因。 基于SBD輻照損傷機理及1/f噪聲的總劑量效應、產(chǎn)生機制及1/f噪聲的遷移率漲落和載流子數(shù)漲落模型的研究，建立SBD器件1/f噪聲抗輻照

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