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文檔簡介
1、 本文在總結(jié)納米材料及其應(yīng)用的基礎(chǔ)上,評述了磁記錄介質(zhì)研究的發(fā)展趨勢,以及進一步提高記錄密度和存儲容量所面臨的物理和技術(shù)問題。在解決物理基礎(chǔ)和技術(shù)問題的基礎(chǔ)上,納米線陣列材料有望實現(xiàn)量子化存儲。 本文在前人工作基礎(chǔ)上,以擴展磁性納米線材料體系為切入點,探索改進現(xiàn)有的模板制備與納米線合成的方法和工藝,旨在獲得一種新的制備化合物納米線陣列的方法和工藝條件,為制備超高密度量子化存儲介質(zhì)提供參考和依據(jù)?! ?通過對
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