2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、吸波材料作為隱身技術(shù)的重要組成部分,其性能取決于吸收劑對電磁波的損耗能力。對于武器裝備高溫部件的隱身以及高溫下的電磁波屏蔽等,都需要能承受高溫的微波吸收劑。SiC作為性能優(yōu)異的耐高溫材料,在高溫吸波材料領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
  本文采用燃燒合成法制備B/Al、B/N和Al/N共摻雜的SiC粉體吸收劑,通過X-射線衍射分析、X射線光電子分析、掃描電子顯微鏡和介電性能測試等,系統(tǒng)的研究了共摻雜SiC粉體吸收劑制備、結(jié)構(gòu)和性能之間的

2、關(guān)系,深入討論了共摻雜對SiC吸收劑微波介電性能的影響及其相關(guān)機理。
  以Si粉和炭黑為原料,B粉為摻雜劑,PTFE為化學(xué)活性添加劑,制備B摻雜SiC粉體吸收劑。研究了不同 B摻雜量對其性能的影響。結(jié)果表明:所合成納米粉體的介電常數(shù)實部ε′、虛部ε″和損耗角正切tanδ值均隨著B摻雜量的增加而降低。同時,采用Al粉為摻雜劑合成Al摻雜SiC納米粉體,發(fā)現(xiàn)當(dāng)Al的摻雜量增加至10%和15%時,合成產(chǎn)物中出現(xiàn)的Al2O3雜質(zhì)相。當(dāng)A

3、l摻雜量為10%時,樣品的ε′、ε″和tanδ值最高,分別為ε′=5.2~5.5、ε″=1.5~1.7、tanδ=0.29~0.31。
  以B粉和Al粉為摻雜劑,制備B、Al共摻雜的SiC粉體吸收劑。結(jié)果表明:當(dāng)B摻雜量為5%,Al的摻雜量分別為5%、10%和15%時所合成樣品的ε′、ε″和 tanδ值均小于未摻雜Al的SiC樣品;當(dāng)Al摻雜量為10%時,所制備樣品的ε′、ε″和tanδ值最大,分別為ε′=3.5~3.6,ε″=

4、0.375~0.4和 tanδ=0.09~0.1。當(dāng) Al摻雜量為5%,B的摻雜量分別為5%、10%和15%時,合成樣品的ε′、ε″和tanδ值均隨著B摻雜量的增加而降低。
  以NH4Cl為氮化劑,B粉為摻雜劑,采用燃燒合成法,制備B、N共摻SiC粉體吸收劑。發(fā)現(xiàn)不同N摻雜量時,均制備了較純的B、N共摻雜β-SiC納米粉體。微波介電性能研究表明,合成樣品的ε′、ε″和tanδ值均隨著N摻雜量的增加而減小。又研究了不同B摻雜量的影

5、響。同樣地,合成樣品的ε′、ε″和tanδ值均隨著B摻雜量的增加而減小。以Si3N4為氮化劑、B粉為摻雜劑,采用燃燒合成法,制備B、N共摻雜SiC粉體吸收劑。XPS分析證明了B、N成功地?fù)诫s進(jìn)入SiC晶格。介電性能結(jié)果表明,不同N摻雜量合成樣品的ε′、ε″和tanδ值均隨著N摻雜量的增加先減少后增加。當(dāng)B摻雜量為5%、N摻雜量為15%時,共摻雜樣品的ε′、ε″和tanδ值高于未摻雜樣品。但是,不同B摻雜量時,共摻雜樣品的ε′、ε″和ta

6、nδ值均小于未摻雜SiC樣品,其隨著B摻雜量的增加先減少后增加。
  以Al粉為摻雜劑,Si3N4為氮化劑,采用燃燒合成法,制備Al、N共摻雜的SiC粉體吸收劑。結(jié)果表明:當(dāng)Al的摻雜量為5%,不同N摻雜量時,發(fā)現(xiàn)摻雜樣品的介電常數(shù)實部ε′、虛部ε″和tanδ均小于未摻雜樣品,且隨著N含量的增加而減少。對N摻雜量為5%,不同Al摻雜量的影響研究表明,當(dāng)Al的摻雜量為10%、15%時,合成產(chǎn)物中出現(xiàn)了Al2O3的雜質(zhì)峰,樣品的介電常

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